Pressemeldung

2008-07-17

Erhöhte Leistungsfähigkeit bei der DC/AC-Umsetzung: 5 – 80kVA

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Nürnberg, Juni 2008 - SEMIKRON erweitert seine SEMITOP® IGBT Produktreihe um ein Modul für 3-Level-Umrichter. Mit der integrierten IGBT-Technologie erzielt das Modul um 60% geringere Schalt- und Leitungsverluste im Vergleich zu 2-Level-Umrichtern. Der SEMITOP®-Aufbau wurde im Gegensatz zu den reinen Halbbrückenmodulen für eine hohe Einschaltentlastung durch niedrige Kommutierungsinduktivität ausgelegt. Die leistungsfähigen Komponenten für die DC/AC-Umsetzung sind für USV-Systeme im Leistungsbereich von 5kVA bis 80kVA erhältlich.

Lösungen mit 3-Level-Umrichtern sind kosteneffizient, denn die zwei Halbbrücken der herkömmlichen 2-Level-Architektur werden hier durch ein einziges Modul ersetzt. Die IGBTs in einem 3-Level-Umrichter werden in Reihe geschaltet. Dadurch sind höhere Rückwärtssperrspannungen der IGBTs möglich. Nur drei dieser Module müssen geschaltet werden, um einen kompletten 3-Phasen-Umrichter in 3-Level-Technologie mit optimalen elektrischen und thermischen Eigenschaften zu realisieren. Der sinusförmige Ausgangsstrom begrenzt harmonische Oberschwingungen und den Einsatz von Ausgangsfiltern. Verglichen mit einem Standard-2-Level-Halbbrückenumrichter konnte eine 25%-ige Einsparung sowohl bei der Dimensionierung als auch bei den Kosten erreicht werden.

Bei einer Rückwärtssperrspannung der IGBTs von 600V sind Nennströme von 20A bis 150A realisierbar. In Stromversorgungen beträgt die Leistungsaufnahme der Module zwischen 5kVA und 80kVA. Die IGBTs für 3-Level-Umrichter sind in 2 Gehäusetypen erhältlich: SEMITOP®3 (55x31mm2) für Module mit 20A bis 50A Nennstrom und SEMITOP®4 (60x55mm2) für Module mit 75A bis 150A Nennstrom.

SEMITOP®-Module sind isolierte Leistungsmodule, die bei einer Gesamthöhe von nur 12mm einfach und schnell in komplexe Schaltungen integrierbar sind. Ihre Montagefreundlichkeit verdanken SEMITOP®-Komponenten der Konstruktion ohne Grundplatte, der Befestigung mit nur einer einzigen Schraube auf dem Kühlkörper und der automatischen Lötung auf die Leiterplatte. Die verwendete Druckkontakttechnologie und die Montage mit nur einer Schraube garantieren minimale thermische Verluste, die mechanisch robuste Konstruktion sichert eine hohe Lastwechselfestigkeit. Ein umfangreiches Qualifikationsprogramm bestehend aus 17 unterschiedlichen Qualifikations- und Prüfverfahren über einen Testkorridor von 10.000 Stunden bestätigt die Leistungsfähigkeit. Die Module sind für eine Nennleistung zwischen 30A/600V und 54A/600V bei Ts=80°C ausgelegt.

Bild: SEMITOP®

Über SEMIKRON:
Als internationales Familienunternehmen begeistern wir unsere Kunden weltweit mit High-Tech Leistungshalbleitern (IGBT, Dioden und Thyristoren). SEMIKRON, mit Hauptsitz in Nürnberg, wurde 1951 gegründet und beschäftigt weltweit 3000 Talente. Ein globales Netzwerk aus 35 Gesellschaften und 10 Produktionsstandorten garantiert eine schnelle Betreuung der Kunden vor Ort. Nach einer Studie des Marktforschungsinstitutes IMS-Research ist SEMIKRON mit einem Anteil von 34% Weltmarktführer bei Dioden- und Thyristor-Halbleitermodulen.

Produkte:
Die Produktpalette besteht aus 21.000 verschiedenen Leistungshalbleitern. Sie reicht von Chips, diskreten Dioden und Thyristoren, Leistungshalbleitermodulen (IGBT / MOSFET / Dioden / Thyristoren) über Treiber und Schutzkomponenten bis zu integrierten Systemen.

Anwendungen:
SEMIKRON Technologie hat sich zu einem Markenzeichen für junge Märkte entwickelt wie Windkraft-/ Solaranlagen und Elektro- und Hybridfahrzeuge als auch für Industrieanwendungen, elektrische Antriebe, Schweißgeräte, Aufzüge, Stromversorgungsanlagen, Förderbänder, Züge und Straßenbahnen. Als bedeutender Innovator auf dem Gebiet der Leistungselektronik wurde eine Vielzahl seiner Entwicklungen zum Industriestandard.

Weitere Informationen finden Sie im Internet unter www.SEMIKRON.com.

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