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- SEMITRANS - Niederinduktive Ausführung mit 15 nH Modulinduktivität
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- SEMiX - jetzt mit neuen IGBT4-Chips
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- SKiM 63/93 - 100% lötfrei für lange Lebensdauer
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- SKiM 4/5 - Für 3-Level-Wechselrichter in USV-Systemen
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- SKiiP IPM - für hohe Betriebstemperaturen
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- MiniSKiiP - Schnelle Montage mit nur einer Schraube
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- MiniSKiiP IPM - 50% höhere Stromdichte
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- SEMITOP - Für 3-Level-Wechselrichter in USV-Systemen
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- SEMIPACK - 35 Jahre Kompetenz und Erfahrung
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- Schnelle SEMIPACK Thyristor-/Diodenmodule - Soft-Recovery
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- SEMITOP - Glasspassiverte Thyristor-Chips
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- SEMiSTART - Thyristor mit Amplifying-Gate-Struktur
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- SEMiX - Lötung der Chips direkt auf das Isoliersubstrat
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- SEMIPONT - Integrierter Temperatursensor
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- SEMIPONT - 1600 V Sperrspannung in Rückwärtsrichtung
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- Leistungsgleichrichter - Hohe Sperrspannung
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- Bedrahtete Miniatur-Brückengleichrichter - Hoher Stoßstrom-Grenzwert
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- Miniatur-Brückengleichrichter mit Fast-On-Stecker - Einfache Montage
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- Scheibenthyristor - Hermetisches Metallgehäuse mit Glasisolierung
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- Thyristoren-Chips - Technische Erläuterungen
- Axialdiode
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- Kühlkörper - Auslegung für Eigen- oder Zwangsluftkühlung
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- Lüfter - Geräuscharm
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- Sicherungen - Gesamthöhe H = 38,5 mm
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- Kühlkörper
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SKAI MOSFET-System
- Ultrakompaktes Invertersystem für grenzenlose Konstruktionsfreiheit
3-Phasen-MOSFET-Invertersystem bis 55 kVA
- Spannungs-, Strom- und Temperatursensoren
- Gate-Ansteuerung mit Schutzfunktion
- Leistungshalbleiter
- Zwischenkreis-Kondensatoren
- DC/DC-Wandler als Schnittstelle zur Steuerplatine
- Programmierbare digitale Signalprozessoren
- Flüssigkeits- und Luftkühlung oder Kühlung mittels Kühlplatte
Einzelwechselrichter
Dual-Wechselrichter
Leistungshalbleiter-Technologie
- Leistungsanschlüsse mittels Druckkontakt an Stelle von Lötverbindungen
- Keine Ermüdungserscheinungen bei Materialien mit unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten
- Herstellung von Hilfsanschlüssen über Federkontakte an Stelle von Lötkontakten für erhöhte Stoß- und Vibrationsfestigkeit
SKAI MOSFET-System
Für kompakte Systeme
- Leistungsdichte 12 kVA/l
- VBatterie: 24 V - 160 V
- 600 A Spitzenstrom bei Beschleunigung
- Einzel- und Dual-Inverter
- IP67-Gehäuse
- Leistungsdichte 12 kVA/l
- VBatterie: 24 V - 160 V
- 600 A Spitzenstrom bei Beschleunigung
- Einzel- und Dual-Inverter
- IP67-Gehäuse
- Leistungsdichte 12 kVA/l
- VBatterie: 24 V - 160 V
- 600 A Spitzenstrom bei Beschleunigung
- Einzel- und Dual-Inverter
- IP67-Gehäuse
Datenblätter
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