Press Release

2010-11

電力密度アップにより、高効率を実現

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ニュールンベルク、2010年11月10日―セミクロンの「MiniSKiiP IPM」は1200VのIntelligent Power Moduleにおいて電力密度について、新しい基準点を示しています。重量55ｇ、容量49cm³、このモジュールはこの電力クラスの他のIPMモジュールより軽く、よりコンパクトです。加えて、そのデザインはEMIノイズに関して最適なスイッチング特性をもたらします。このモジュールは15kWまでのインバーターのアプリケーション用に開発されました。

 

縦横：59mm x 52mm、高さ：16mm、このモジュールはこの電力クラスの標準IPMに比べ、少なくとも50%は小さくなっています。画期的な接続技術により、小型インバータの開発や製造コストの削減が可能となります。

 

高電力密度に達する為にMiniSKiiP IPMモジュールは、パワー半導体チップやDCBは熱的に効率の良い圧力コンタクトシステムという方法でヒートシンクに熱的に接続されています。そのモジュールはベースプレートを含まない為、ベースプレート付の他のどんなIPMよりも熱抵抗が低くなっています。

 

内蔵SOIドライバーはDCBに直接取り付けられ、最適なゲート抵抗を経て近接配線によって、パワートランジスタのゲートターミナルへ接続されています。この近接配線は調和したスイッチング特性を実現し、EMIノイズを縮小します。その結果として、電磁環境両立性の用件を満たす為の複雑な保護手段は必要ありません。その近接配線は低寄生インダクタンスの起因となり、同様にそのモジュールへの低過電圧を意味し、高DCリンク電圧や高効率を可能としています。  

 

MiniSKiiP IPMモジュールとパワー回路基板は１本の標準のねじを使用しヒートシンクに据え付けられます。全てのパワー、ゲートや補助接続は半田付けではなく、PCBにプレッシャーコンタクトという方法で作られています。それは迅速且つ低コストのアッセンブリを可能にしています。加えて、半田を使用しないことは更に全体構造の品質を向上し、通常のIPMモジュールよりも高レベルの信頼性を実現します。ユーザーは、別々の解決方法に比べ、この多機能製品の使いやすいデザインによって利点があります。  

 

1200V 6-pack MiniSKiiP IPMは高電圧のドライバーICを含み、低スイッチング損失や高電流密度を最適される最新式のトレンチフィールドストップ IGBTを特色としています。定格電流61Aで15kWまでの出力電力を可能としています。また600V CIBタイプのラインナップもあります。これらのモジュールはEUのRoHS指令に準拠しています。  

 

写真：重量55g、容量49ｍ³で、このクラスの他のIPMに比べ、軽量且つコンパクトです。

 

 

 

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