Press Release

2008-07

5～80ｋVA 　DC/AC変換器の効率改善

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2008年6月ニュールンベルグセミクロンは、SEMITOP IGBTモジュールラインアップに3レベルインバータ用のタイプを新たに加えます。これはスイッチングオン損失が2レベルインバータに比べ60％低く、IGBTテクノロジーが集積されています。このSEMITOPモジュールはハーフブリッジモジュールに対比して、低転流誘導に対応して設計されています。DC/AC変換器の効率改善は定格5～80kVAのUPSへの適用が可能です。

 

3レベルインバータではモジュール1個により2レベル ハーフブリッジ回路用のモジュール2個に置き換えるので価格的に優位です。3レベルインバータ回路はIGBTの直列接続より構成され、これにより高耐圧IGBTの実現を可能にしました。

 

このモジュール3個を用いて、電気的熱的効率を最大化した3相3レベルインバータを実現することができます。正弦波出力のため、高調波成分および出力フィルターを削減することができます。2レベルハーフブリッジインバータと比較すると、全体の寸法に加え価格低減２５％を実現しています。

 

600VIGBTの定格電流は20～150Aです。モジュールは5～80kVA入力の電源用途で使用されています。3レベルインバータ用IGBTには２つのハウジングタイプがあります。定格電流20A～50AのモジュールSEMITOP®3(55×31 mm2)、および75A～150AのモジュールSEMITOP®４(60×55mm2)です。

 

SEMITOPは高さ12mmの絶縁パワーモジュールです。ベース基盤がなく、ネジ1本で組み付け、複雑な回路に手早く組立てが可能で、さらにPCBに自動はんだ付けすることができます。圧接テクノロジーとネジ1個による組み付けが低熱抵抗を、また機械的ストレスフリー構造により、高パワーサイクル耐量を実現しています。組み付けネジ1個により迅速で、簡単な組立て工程を実現します。SEMITOPの定格は１７項目の広範囲にわたる認証プログラムと10000時間以上の試験により確認されています。

 

写真: SEMITOP®

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