Leistungselektronik für
Elektro- und Hybrid-Pkws

Unsere Lösungen für Elektro- und Hybrid-Pkws

In Pkw-Anwendungen muss die Leistungselektronik erhebliche Herausforderungen meistern: Sie muss kompakt und effizient sein und gleichzeitig robust und zuverlässig unter den ständig wechselnden Bedingungen, die beim Kaltstart und bei wiederholter Beschleunigung und Verzögerung auftreten. SEMIKRON bietet eine breite Palette von Produkten, die jeder Anwendung im Automobilbereich gewachsen sind, sei es für batteriebetriebene Elektrofahrzeuge, Mild-Hybrid-, Plug-in-Hybrid- oder sonstige Fahrzeuge mit Hybridantrieb. Das spezielle Automotive-Portfolio von SEMIKRON umfasst Leistungsmodule und integrierte Wechselrichtersysteme, die häufig auf innovativen Halbleitertechnologien wie Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs und Schottky-Dioden basieren und den Wirkungsgrad in Standard-Pkw-Anwendungen gegenüber siliziumbasierter Technologie (IGBT) deutlich verbessern.

Neben Hochvoltlösungen mit 400/800 V-Batteriesystemen halten zunehmend Mild-Hybrid-Fahrzeuge mit 48 V-Bordnetz Einzug in diesem Bereich. Mild-Hybride verfügen neben dem konventionellen Verbrennungsmotor über einen 48 V-Elektromotor, der durch zusätzliche Leistungssteigerung des Antriebssystems und Energierückgewinnung den CO2-Ausstoß um bis zu 15 % reduziert. SEMIKRON Module sind in Elektrofahrzeugen bereits weit verbreitet. Die SEMiX Bodenplattenmodule sind vor allem bei führenden chinesischen Pkw-Herstellern beliebt, während unsere etablierte bodenplattenlose SKiM 63/93 Technologie derzeit die erste Wahl für Elektro- und Plug-in-Elektrofahrzeuge für höhere Leistungsdichten ist.

Leistungsmodule für elektrische Antriebssysteme

eMPack® – Die Leistungsmodul-Plattform für Automotive

Konzept für die Zukunft der eMobilität mit Hochleistungs-Leistungselektronik

Der Übergang von kompletten Fahrzeugplattformen zu Fahrzeugarchitekturen mit vollelektrischen Batteriantrieben schreitet rasch voran. Diese Architekturen werden skalierbare Leistungselektroniklösungen für elektrische Antriebssysteme (EAS) erfordern, die einen großen Leistungsbereich wirtschaftlich realisieren können. Für die Fahrzeughersteller bedeutet dies einen wichtigen Wettbewerbsvorteil.

Die neue Leistungsmodul-Plattform eMPack von SEMIKRON basiert auf einem Einzelmodulkonzept. Sie wird für EAS-Wechselrichterarchitekturen entwickelt, die einen Leistungsbereich von rund 100 kW bis 750 kW abdecken. eMPack deckt 400 V- und 800 V-Batteriesystemanwendungen ab und ist sowohl in Silizium-IGBT- als auch in Siliziumkarbid-MOSFET Technologie erhältlich.

Die Kombination der Siliziumkarbid-Technologie mit der vollständig gesinterten, streuinduktivitätsarmen Direct Pressed Die-Technologie (DPD) von SEMIKRON ermöglicht unübertroffene Leistungsdichten bei hoher Zuverlässigkeit für Automobilanwendungen.

Hauptmerkmale

  • Siliziumkarbid-MOSFET- und Silizium-IGBT-Optionen
  • 750 V/1200 V-kompatibles Gehäuse mit bis zu 900ARMS
  • Doppelseitiger Sinteraufbau ermöglicht Zuverlässigkeit in Automotive-Qualität
  • Niedriger Wärmewiderstand dank DPD-Technologie
  • Flexible Kühleranordnungen
  • 2,5 nH Streuinduktivität des Moduls
  • Einfaches Montagekonzept
eMPack – The Automotive Power Module Platform

Produktportfolio Leistungsmodule für elektrische Antriebssysteme

 

SKiM® 93

Hochzuverlässiges Design mit Sintertechnologie

eMPack®

Wegbereiter für die Zukunft der eMobilität mit hochperformenden Leistungsmodulen

Leistungsmodule für Hilfsumrichter

SEMITOP® E1/E2

Übertrifft den Standard für überlegener Performance

 

SEMITOP E1 und E2 wurden als Antwort auf die gestiegene Kundenerwartung nach einer sicheren Lieferkette entwickelt. Aber die SEMITOP E Familie bietet weitaus mehr, denn sie ist in mehrerlei Hinsicht eine vielseitige Lösung. Diese Modulgeneration ist eine vollständig kompatible Alternative zu den etablierten Standard- Industrie-Gehäusen. Zudem ermöglicht sie den Einsatz von Chips unterschiedlicher Hersteller und erreicht so maximale Flexibilität. Die SEMITOP E1 und E2 sind daher ein wichtiger Teil des SEMIKRON Portfolios.

Die bodenplattenlosen Module verfügen über ein niederinduktives Design, 12 mm Höhe, zwei seitliche Befestigungsschrauben sowie Pin-Grid-Technologie mit Press-Fit-Pins zur lötfreien Montage. Das Pin-Grid-Konzept ermöglicht eine flexible Platzierung der Leistungs- und Hilfsanschlüsse, was die beiden wesentlichen Vorteile dieses Moduls hervorhebt: maximale Flexibilität in kompakter Bauweise.

Hauptmerkmale

  • PCB-basierte, bodenplattenloses Industriestandard-Leistungsmodule mit Press-Fit Anschlüssen in zwei Gehäusegrößen
  • 650 V und 1200 V: 10 A bis 100 A IGBT 4 und IGBT T7
  • CIB- und Sixpack-Topologien
  • Optimiertes Montagekonzept und vorapplizierte Wärmeleitpaste ermöglichen den niedrigsten Wärmewiderstand in der Klasse
  • Erhöhte Leistungsdichte mit IGBT T7 der Generation 7
  • 1200V Hybrid-SiC und SiC- MOSFET Module bis 250 A

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Wechselrichter für 48 V-Mild-Hybrid-Systeme

SKAI® 3 LV

Ultrakompakte MOSFET Wechselrichterplattform

SKAI 3 LV wurde als Plattform für Niederspannungs-Wechselrichtersysteme für On- und Off-Road-Elektrofahrzeuge entwickelt. Diese Plattform stellt die 3. Generation von Niederspannungs-Wechselrichtersystemen und die 7. Generation der von SEMIKRON entwickelten MOSFET Wechselrichtertechnologie dar, mit mehr als 1,5 Millionen MOSFET Wechselrichtern im Feld. Um eine anwendungsspezifisch optimierte Motorsteuerung zu realisieren, muss lediglich eine kundenspezifische Steuerkarte integriert werden.

Die SKAI 3 LV Platform basiert auf einer Technologie des Leistungsteils, die im Spannungsbereich bis 1000 VDC seit Jahren mit hoher Zuverlässigkeit im Feld eingesetzt wird. Sie bietet den idealen Zugang für eine Vielzahl von Spannungsanwendungen im Bereich 48 V bis 96 V in Elektrofahrzeugen für den On- und Off Road Bereich wo hohe Leistungsdichte und maximale Zuverlässigkeit gefordert ist.

SKAI 3 LV - Ultra Compact MOSFET Inverter Platform

3-Phasen-MOSFET Wechselrichtersystem bis 55 kVA

Hauptmerkmale

  • Kompakte Bauformen
  • 30 kVA/l Leistungsdichte
  • VBatterie: 24 VDC bis 96 VDC
  • 600 Arms Spitzenstrom während der Beschleunigung
  • Einfach ansteuerbarer Gate-Treiber
  • IP66-Gehäuse
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