Siliziumkarbid-MOSFET-Module

Leistungsmodule mit Siliziumkarbid-MOSFETs

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Siliziumkarbid-MOSFET-Module –
Höchste Ausgangsleistung und Effizienz

SEMIKRON bietet Leistungsmodule mit Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs in den Gehäusen SEMITOP und SEMITRANS an. Durch den Einsatz von SiC-MOSFETs führender Anbieter sind hohe Schaltfrequenzen, minimale Verluste und maximale Wirkungsgrade erreichbar. Mit Siliziumkarbid-Modulen sind außerdem hervorragende Leistungsdichten möglich.

Durch die Erhöhung der Schaltfrequenz werden passive Filterkomponenten drastisch reduziert. Gleichzeitig werden die Leistungsverluste gesenkt, was zu kleineren Kühlkörpern führt und den Kühlbedarf generell reduziert. Beide Vorteile führen zu einer erheblichen Senkung der Systemkosten.

Die SiC-MOSFET-Leistungsmodule sind in 1200 V und 1700 V von 20 A bis 540 A, mit und ohne antiparallele Schottky-Diode als Sixpacks, Halbbrücken und Boostkonverter mit integrierter Bypass-Diode erhältlich.

Zusätzlich zu ihrem Portfolio an SiC-MOSFET Modulen bietet SEMIKRON auch SiC-Schottky-Dioden in SEMIPACK- und SEMITOP-Gehäusen an, um auch eine verlustarme Gleichrichtung zu gewährleisten.