Voll-Siliziumkarbid-Module
Leistungsmodule mit Siliziumkarbid-MOSFETs
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Voll-Siliziumkarbidmodule –
Höchste Ausgangsleistung und Wirkungsgrade
ISEMIKRON bietet Voll-Siliziumkarbid-Module in den Gehäusen MiniSKiiP, SEMITOP und SEMITRANS. Mit SiC-MOSFETs der führenden Hersteller werden zuvor nicht gekannte Leistungsdichten in Kombination mit hohen Schaltfrequenzen, extrem niedrigen Verlusten und maximalem Wirkungsgrad erreicht.
Durch die Erhöhung der Schaltfrequenz können passive Ausgangsfilter zur Filterung der Ausgangsspannung massiv reduziert werden. Da sich gleichzeitig auch die Verlustleistung verringert, nimmt der Aufwand für die Kühlung der Komponenten ab und es können kleinere Kühlkörper verbaut werden. Beide Vorteile führen zu deutlich niedrigeren Gesamtkosten.
Voll-Siliziumkarbid-Module sind von 20 A bis 540 A bei 1200 V Sperrspannung mit und ohne antiparallele Freilauf-Schottky-Diode verfügbar. Die Standard-Topologie mit Sixpacks mit getrennten Ausgängen ist zudem eine Option, die eine flexible Anpassung an Ihre Anwendung ermöglicht.
Zudem sind die Module als Halbbrücke oder Hochsetzsteller einschließlich Bypass-Diode erhältlich. Neben dem SiC-MOSFET-Modulportfolio bietet SEMIKRON auch einzelne SiC-Schottky-Dioden im SEMIPACK 2-Gehäuse an.