Voll-Siliziumkarbid-Module

Leistungsmodule mit Siliziumkarbid-MOSFETs

Voll-Siliziumkarbidmodule –
Höchste Ausgangsleistung und Wirkungsgrade

In SEMIKRON Voll-Siliziumkarbidmodulen werden in den Gehäusen MiniSKiiP, SEMITOP und SEMITRANS SiC-MOSFETs der neuesten Generation und führenden Hersteller verbaut. Dadurch werden zuvor nicht gekannte Leistungsdichten in Kombination mit hohen Schaltfrequenzen, extrem niedrigen Verlusten und maximalem Wirkungsgrad erreicht.

Durch die drastische Erhöhung der Schaltfrequenz können passive Ausgangsfilter zur Filterung des Spannungssignals massiv reduziert werden. Da sich auch die Verlustleistung verringert, nimmt der Aufwand für die Kühlung der Komponenten ab, es können kleinere Kühlkörper und Lüfter verbaut werden.

Voll-Siliziumkarbidmodule von SEMIKRON sind verfügbar von 20A bis 585A bei 1200V Sperrspannung, mit und ohne Freilaufdioden. Erhältlich sind die Module als Halbbrücke, Dreifach-Booster und 6-Pack nicht nur in der klassischen Konfiguration, sondern auch mit getrennten Ausgängen, damit optimiertem Schaltverhalten und Flexibilität, sodass das Modul auch als H-Brücke oder in Buck/Boost-Schaltungen eingesetzt werden kann.