Voll-Siliziumkarbid-Module

Leistungsmodule mit Siliziumkarbid-MOSFETs

Informationen & Downloads

Kundenservice

Kontakt aufnehmen

Produktservice

Muster anfragen

  • Products
  • View k j
Reset all filters Selected
Filter
  • Product Type
  • Product Line
  • VDS in V
  • ID in A
  • Switches
  • Product Status

Sorry, we were unable to find products that match your current set of filters and/or search.

Voll-Siliziumkarbidmodule –
Höchste Ausgangsleistung und Wirkungsgrade

ISEMIKRON bietet Voll-Siliziumkarbid-Module in den Gehäusen MiniSKiiP, SEMITOP und SEMITRANS. Mit SiC-MOSFETs der führenden Hersteller werden zuvor nicht gekannte Leistungsdichten in Kombination mit hohen Schaltfrequenzen, extrem niedrigen Verlusten und maximalem Wirkungsgrad erreicht.

Durch die Erhöhung der Schaltfrequenz können passive Ausgangsfilter zur Filterung der Ausgangsspannung massiv reduziert werden. Da sich gleichzeitig auch die Verlustleistung verringert, nimmt der Aufwand für die Kühlung der Komponenten ab und es können kleinere Kühlkörper verbaut werden. Beide Vorteile führen zu deutlich niedrigeren Gesamtkosten.

Voll-Siliziumkarbid-Module sind von 20 A bis 540 A bei 1200 V Sperrspannung mit und ohne antiparallele Freilauf-Schottky-Diode verfügbar. Die Standard-Topologie mit Sixpacks mit getrennten Ausgängen ist zudem eine Option, die eine flexible Anpassung an Ihre Anwendung ermöglicht.

Zudem sind die Module als Halbbrücke oder Hochsetzsteller einschließlich Bypass-Diode erhältlich. Neben dem SiC-MOSFET-Modulportfolio bietet SEMIKRON auch einzelne SiC-Schottky-Dioden im SEMIPACK 2-Gehäuse an.