Voll-Siliziumkarbid-Module

Leistungsmodule mit Siliziumkarbid-MOSFETs

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Voll-Siliziumkarbidmodule –
Höchste Ausgangsleistung und Effizienz

SEMIKRON bietet Voll-Siliziumkarbid-Leistungsmodule in den Gehäusen MiniSKiiP, SEMITOP und SEMITRANS an. Durch den Einsatz von SiC-MOSFETs führender Anbieter werden hohe Schaltfrequenzen, minimale Verluste und maximale Effizienz erreicht. Zusätzlich werden auch hervorragende Leistungsdichten erreicht.

Durch die Erhöhung der Schaltfrequenz können passive Filterkomponenten drastisch reduziert werden. Gleichzeitig werden die Leistungsverluste gesenkt, was zu kleineren Kühlkörpern führt und den Kühlbedarf generell reduziert. Beide Vorteile führen zu einer erheblichen Senkung der Systemkosten.

Die Voll-Siliziumkarbid-Leistungsmodule sind in 1200V von 20A bis 540A, mit und ohne antiparallele Schottky-Diode erhältlich. Sixpacks, Halbbrücken und Boostkonverter mit integrierter Bypass-Diode sind erhältlich.

Neben seinem Portfolio an SiC-MOSFET-Bausteinen bietet SEMIKRON auch SiC-Schottky-Dioden in SEMIPACK- und SEMITOP-Gehäusen an, um ebenfalls eine verlustarme Gleichrichtung zu gewährleisten.