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SEMITOP® E1/E2 – bis 70 kW

Der SEMITOP E1/E2 ist eine bodenplattenlose Modulplattform mit einer Höhe von 12 mm, zwei seitlichen Montageschrauben und Press-Fit Pins. Die SEMITOP-Varianten E1 und E2 bieten eine Alternative zu den etablierten Standard-Industrie-Gehäusen bis auf die Chip-Ebene und gewährleistet dadurch eine hohe Liefersicherheit. Die SEMITOP-Plattform bietet eine gesteigerte Modulleistung und das niederinduktive Gehäuse ermöglicht die Integration modernster Hochleistungs-Silizium- und SiC-Chips.

SEMITOP® E1/E2 Vorteile

SEMITOP E1 und E2 wurden als Antwort auf die gestiegene Kundenerwartung nach einer sicheren Lieferkette entwickelt. Aber die SEMITOP-E-Familie bietet weitaus mehr, denn sie ist in mehrerlei Hinsicht eine vielseitige Lösung. Diese Modulgeneration ist eine vollständig kompatible Alternative zu den etablierten Standard-Industrie-Gehäusen. Zudem ermöglicht sie den Einsatz von Chips unterschiedlicher Hersteller und erreicht so maximale Flexibilität. Die SEMITOP E1 und E2 sind daher ein wichtiger Teil des SEMIKRON-Portfolios.

Die bodenplattenlosen Module verfügen über ein niederinduktives Design, 12 mm Höhe, zwei seitliche Befestigungsschrauben, sowie Pin-Grid-Technologie mit Press-Fit Pins zur lötfreien Montage. Das Pin-Grid-Konzept ermöglicht eine flexible Platzierung der Leistungs- und Hilfsanschlüsse, was die beiden wesentlichen Vorteile dieses Moduls hervorhebt: maximale Flexibilität in kompakter Bauweise.

Durch diese flexible Platzierung der Anschlusspins können kundenspezifische Layouts umgesetzt und die Kommutierungsinduktivität auf Werte kleiner als 10 nH reduziert werden. Dadurch eignet sich die Plattform für die modernsten Silizim- und SiC-Chip-Technologien, insbesondere für schnelle Schalter, und bietet dadurch Wettbewerbsfähigkeitin einem anspruchsvollem Umfeld dar, in dem hohe Leistung, Innovation und Differenzierung die entscheidenden Erfolgsfaktoren sind. Das Chip-Layout wurde optimiert, um eine bestmögliche Wärmespreizung zu gewährleisten und dadurch eine optimale Wärmeableitung zu erreichen. SEMITOP E1 und E2 bieten daher optimierten Platzbedarf, flexible Architektur, Einsatz von Chips unterschiedlicher Hersteller und leistungsstarke Lösungen bei optimierten Systemkosten.

SEMITOP® E1/E2 Hauptmerkmale

  • Modul mit geringer Streuinduktivität
  • Multiple Sourcing bis auf die Chip-Ebene
  • Optimierter Platzbedarf
  • Flexible Modularchitektur
  • 2-Schraubenkonzept
  • Press-Fit-Anschlüsse
  • 12 mm Modulhöhe
  • Ohne Bodenplatte

SEMITOP® E1/E2 Anwendungen

SEMITOP E1 und E2 sind für den unteren und mittleren Leistungsbereich bis 70 kW konzipiert und runden durch ihre optimierte Konzeption den Leistungsbereich der bewährten Plattform SEMITOP 1-4 ab. Dank ihres kompakten und niederinduktiven Designs sowie neuester Chip Technologien sprechen SEMITOP E1 und E2 unterschiedlichste Märkte an, wie z. B. USV, Solar (inkl. String-Wechselrichter für 1500 VDC), Motorantriebe, Stromversorgungen sowie den neuen und wachsenden Markt Ladestationen für Elektrofahrzeuge.

SEMITOP® E1/E2 Produktspektrum

Innerhalb der SEMITOP E1 und E2 Familie ist eine große Auswahl an Konfigurationen möglich und von Standard-Topologien bis hin zu kundenspezifischen Lösungen werden unterschiedlichste Marktanforderungen erfüllt:

  • 3-Level-Topologie (NPC) bis 225 A / 650 V mit H5-/L5-/S5-IGBTTechnologie
  • Split 3-Level-Technologie 150 A / 1200 V IGBT4 für 1500-VDC-Solaranwendungen
  • 3-Level-Topologie (TNPC) 200 A / 1200 V mit High-Speed IGBT4-Technologie im vertikalen Zweig
  • 3-phasiger Wechselrichter bis zu 75 A / 650 V, 75 A / 1200 V
  • CIB-Konfigurationen (Converter-Inverter-Brake) bis 50 A/ 600 V und 35 A / 1200 V
  • Kundenspezifische Konfigurationen auf Anfrage

SEMITOP® IGBT Module

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SEMITOP® Voll-SiC Module

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Industriestandard und doch überlegene Performance

Breites Produktportfolio

IGBT-Nennstrom [A]
  • Umfassendes Portfolio für 2-Level- und 3-Level-Anwendungen
  • Vollständige Kompatibilität mit Standard-Industrie-Gehäusen
  • Flexibilität beim Design zur Anpassung an hochkomplexe Konfigurationen
  • Flexibilität beim Anwendungsdesign mit alternativen Chip-Herstellern

Neueste Produktechnologie

Neueste Produktechnologie
  • Neueste Silizium- und SiC-Technologie
  • Niederinduktives Modulkonzept
  • Hohe Flexibilität
  • Mit optionalen Snubber-Kondensatoren

Standards übertreffen

Thermischer Widerstand Rth,j-s [K/W] mit Standard-Wärmeleitpaste
  • Optimiertes Moduldesign für optimale Wärmeableitung
  • Effektive Wärmeverteilung für eine verbesserte thermische Performance
  • Erhöhte Lebensdauer für verbesserte Zuverlässigkeit
  • Geeignet für sehr schnellschaltende Anwendungen dank niederinduktivem Design