SEMITRANS® 10

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SEMITRANS® 10 – 500 kW bis 2 MW

SEMITRANS 10 ist eine Modulplattform im robusten Industriestandard-Gehäuse mit Kupferbodenplatte und Schraubanschlüssen. Die SEMITRANS 10 Module besitzen ein niederinduktives Gehäusedesign und werden in Halbbrücken- und Choppertopologien in den Spannungsklassen 1200 V (Nominalstrom 1400 A) und 1700 V (Nominalstrom 1000 A und 1400 A) sowie in NCP-Topologie mit 1200 V-IGBTs (1200 A und 1400 A Nominalstrom) gefertigt. Hohe Verfügbarkeit wird durch Multiple-Sourcing der IGBT Chips sowie durch Verwendung von SEMIKRON CAL-Dioden gewährleistet.

SEMITRANS® 10 Vorteile

Die IGBT-Modul Plattform SEMITRANS 10 im Industriestandard-Gehäuse kombiniert neueste Silizium-Technologie mit modernster Aufbau- und Verbindungstechnik. Dies verleiht SEMITRANS 10 große Vorteile in Bezug auf Zuverlässigkeit, besondere thermische Robustheit und ein verbessertes Schaltverhalten. 

  • Robustes Industriestandard-Gehäuse
  • Wettbewerbsfähige Second-Source IGBTs
  • Optimiertes niederinduktives Design für sicheren Betrieb bei hohen Zwischenkreisspannungen
  • Einzigartige Schalteigenschaften mit niedrigen Verlusten
  • Gehäusedesign für künftige Hochtemperatur-Chip-Generationen ausgelegt

SEMITRANS® 10 MLI

SEMITRANS 10 MLI ist ein 3-Level-NPC-Modul, das für Umrichter in Windenergieanlagen Spannungsbereiche von bis zu 1000 VAC (1500 VDC) erschließt und damit den Wirkungsgrad des Gesamtsystems erhöht.

Reduzierte Systemkosten durch 3-Level-Topologie

  • Bis zu 1,5 MW ohne Parallelschaltung
  • Niedrigere Schaltverluste durch Einsatz von 1200 V-Halbleitern
  • Weniger Filteraufwand aufgrund geringerer harmonischer Oberschwingungen
  • Reduzierte Kabeldurchmesser oder Kabelverluste
  • Reduzierter Kühlungsaufwand

SEMITRANS® 10 Hauptmerkmale

  • Volle Kompatibilität zum Industriestandard
  • Halbbrücken- und Choppertopologien
  • Nominalstrom von 1000 A bis 1400 A
  • Verbesserte Schaltleigenschaften
  • Isolierte Kupferbodenplatte mit DCB Keramik
  • Integrierter Temperatursensor
  • Hohe Isolationsspannung
  • Plug-and-Play Treiber SKYPER Prime verfügbar

SEMITRANS® 10 Anwendungen

Diese bewährte Leistungsmodul-Plattform, entwickelt für ein breites Spektrum von Anwendungen, wie Umrichter für regenerative Energien bis zu 1500 VDC und Stromversorgungen, erfüllt die strikte Anforderungen hinsichtlich Lebensdauer und Robustheit. Die Modularchitektur zeichnet sich durch Flexibilität und Skalierbarkeit aus.

Mehr Leistung durch symmetrisches Parallelschalten

SEMITRANS 10 wurde mit dem Treibern SKYPER Prime in der Performance optimiert, mit einer Vielzahl von Merkmalen und der Möglichkeit zur präzisen Parallelschaltung.

  • Digitale Signalverarbeitung im SKYPER Prime Treiber sichert exakte Schalt- und Überwachungscharakteristik über den gesamten Temperaturbereich
  • Stabilisierte positive und negative Gatespannungen für symmetrische Stromaufteilung
  • Direkte Parallelisierung von Fehler-, Sensor- und Schaltsignalen
  • Symmetrische Gateansteuerung mit zentraler Signalverteilung
  • Direkte Leiterplattenanbindung vermeidet teure Kabel und Steckverbinder

Erfahren Sie mehr über SKYPER Prime

Überragendes dynamisches Schaltverhalten

  • Überragende Schalteigenschaften, basierend auf neuester IGBT-Technologie in Verbindung mit SEMIKRON CAL-Dioden
  • Moduldesign mit geringen Schalt- und Leitungsverlusten
  • Optimierte interne Stromschiene gewährleistet ausgewogene Lastverteilung zwischen den einzelnen IGBTs und Dioden 

Zukunftssichere Gehäusematerialien

Die Gehäusematerialien beim SEMITRANS 10 wurden für hohe Temperaturen optimiert. Dies gewährleistet stabilen und zuverlässigen Betrieb mit den heutigen Chipgenerationen bei Sperrschichttemperaturen von 150°C und ermöglicht künftige Chiptechnologien mit maximalen Sperrschichttemperaturen von bis zu 200°C.

Extrem zuverlässige Konstruktion mit wenig Streuinduktivität

  • Optimierte interne Laststromverteilung und optimiertes DCB-Layout gewährleisten geringe interne Streuinduktivität

SEMITRANS® 10 Produktportfolio

SEMITRANS 10 ist in Halbbrückentopologien mit 1200 V (1400 A) und 1700 V (1000 A/1400 A) sowie als Split-NPC-Topologie mit 1200 V-IGBT-Technologie und mit 1200 A und 1400 A Nominalstrom verfügbar.

TypbezeichnungVces in VInom in ATopologie
SKM1400GB12P412001400GB
SKM1000GB17R817001000GB
SKM1400GB17R817001400GB
SKM1400GAL12P412001400GAL
SKM1000GAL17R817001000GAL
SKM1400GAL17R817001400GAL
SKM1400GAR12P412001400GAR
SKM1000GAR17R817001000GAR
SKM1400GAR17R817001400GAR
SKM1200MLI12TE412001200MLI-TOP
SKM1200MLI12BE412001200MLI-BOT

SEMITRANS® IGBT Modules

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SEMITRANS® Full SiC Modules

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SEMITRANS® Hybrid-SiC Modules

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SEMITRANS® MOSFET Modules

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