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SEMITRANS® 10 – 500 kW bis 1,5 MW

SEMITRANS 10 ist ein robustes Modul im Industriestandard mit Kupferbodenplatte und Schraubklemmen für die Leistungsanschlüsse. Das SEMITRANS 10 bietet ein niederinduktives Design und ist in Halbbrückentopologien mit 1200 V (1400 A) und 1700 V (1000 A/1400 A) sowie als MLI mit 1200 V-IGBT-Technologie und 1200 A Ausgangsstrom verfügbar. Hohe Verfügbarkeit wird durch Multiple-Sourcing der IGBTs sowie durch Verwendung von SEMIKRON CAL-Dioden  gewährleistet.

SEMITRANS® 10 Vorteile

Das auf Industrie-Standard basierende SEMITRANS 10 Modul kombiniert neueste IGBT Chip Technologie mit effektivster Aufbau- und Verbindungstechnik. Dies eröffnet SEMITRANS 10 große Vorteile in Bezug auf Zuverlässigkeit, im speziellen thermische Widerstandsfähigkeit sowie verbessertes Schaltverhalten.

  • Robustes Leistungsmodul nach Industriestandard
  • Hohe Liefersicherheit  durch Multiple-IGBT-Sourcing
  • Optimierte niederinduktive Bauform für sicheren Betrieb bei hohen Zwischenkreisspannungen
  • Einzigartige Schalteigenschaften bei geringen Verlusten
  • Gehäusedesign für künftige Hochtemperatur-Chip-Generationen ausgelegt

Direct Pressed Die Technology

Mit SEMITRANS 10 überführen wir die innovative Direct Pressed Die (DPD) Technologie in ein Standardgehäuse. Durch DPD kann die Ausgangsleistung um bis zu 30% im Vergleich zum Standard SEMITRANS 10 erhöht werden, bei identischer IGBT- und Dioden Technologie.

  • Extrem niedriger thermischer Widerstand
  • Unerreichte Ausgangsleitung
  • Einfach ausgeführter AC-Anschluss ermöglicht einfache Erweiterung existierender Stack Designs
  • Unübertroffenes Schaltverhalten aufgrund optimiertem Flex Layer Design
  • Höhere Ausgangsleistung bei geringeren Verlusten
  • Power Cycling: mehr als 200.000 Zyklen @dT 110K
  • Thermal Cycling: mehr als 1000 Zyklen @dT 165K

SEMITRANS® 10 Hauptmerkmale

  • Vollständige Kompatibilität zum Industriestandard
  • Halbbrückentopologie
  • Nennstrom von 1000 A bis 1400 A
  • Verbesserte Schaltleistung
  • Isolierte Kupferbodenplatte mit DCB
  • Integrierte Gate-Widerstände
  • Integrierter Temperatursensor
  • Hohe Isolationsspannung

SEMITRANS® 10 Anwendungen

Dieses bewährte Leistungsmodul ist für ein breites Spektrum an Anwendungen wie Umrichter für regenerative Energien bis zu 1500 VDC und Stromversorgungen konzipiert, die strikte Anforderungen hinsichtlich der Lebensdauer und der Robustheit erfüllen müssen. Dies gelingt dank der Flexibilität und den Skaliermöglichkeiten, die dieses Moduldesign bietet.

Mehr Leistung durch symmetrisches Parallelschalten

SEMITRANS 10 wurde zusammen mit SKYPER Prime auf optimale Leistung mit einer Vielzahl von Merkmalen und der Möglichkeit zur präzisen Parallelschaltung optimiert.

  • Digitale Signalverarbeitung im SKYPER Prime-Treiber sorgt für exakte Schalt- und Überwachungscharakteristik über den gesamten Temperaturbereich
  • Stabilisierte positive und negative Ansteuerspannungen für symmetrische Stromaufteilung
  • Direkte Parallelschaltung von Fehler-, Sensor- und Schaltsignalen
  • Symmetrische Gate-Steuerung mit zentraler Signalverteilung
  • Lösung mit direkter Leiterplattenanbindung vermeidet teure Kabel und Steckverbinder

Erfahren Sie mehr über SKYPER Prime

Überragendes dynamisches Schaltverhalten

  • Überragende Schaltleistung basierend auf neuester IGBT-Technologie in Verbindung mit SEMIKRON CAL-Dioden
  • Moduldesign mit geringen Schalt- und Leitungsverlusten
  • Optimierte interne Stromschiene gewährleistet ausgewogene Lastverteilung zwischen den einzelnen IGBTs und Dioden

Zukunftssichere Gehäusematerialien

Die Gehäusematerialien beim SEMITRANS 10 wurden für hohe Temperaturen optimiert. Dies gewährleistet stabilen und zuverlässigen Betrieb mit den heutigen Chipgenerationen bei Sperrschichttemperaturen von 150°C und ermöglicht künftige Chiptechnologien mit maximalen Sperrschichttemperaturen von bis zu 200°C.

Extrem zuverlässige Konstruktion mit wenig Streuinduktivität

  • Optimierte Stromschienenbauform und optimiertes DCB-Layout gewährleisten geringe interne Streuinduktivität

SEMITRANS® 10 Produktportfolio

SEMITRANS 10 ist in Halbbrückentopologien mit 1200 V (1400 A) und 1700 V (1000 A/1400 A) sowie als MLI mit 1200 V-IGBT-Technologie und 1200 A Ausgangsstrom verfügbar.

TypbezeichnungVces in VInom in ATopologie
SKM1400GB12P412001400GB
SKM1000GB17R817001000GB
SKM1400GB17R817001400GB
SKM1400GAL12P412001400GAL
SKM1000GAL17R817001000GAL
SKM1400GAL17R817001400GAL
SKM1400GAR12P412001400GAR
SKM1000GAR17R817001000GAR
SKM1400GAR17R817001400GAR
SKM1200MLI12TE412001200MLI-TOP
SKM1200MLI12BE412001200MLI-BOT

SEMITRANS® Produktneuheiten