SEMiX® 3 Press-Fit

Zur lötfreien Montage mit Press-Fit Gateanschlüssen

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SEMiX® 3 Press-Fit Vorteile

Das Konzept der SEMiX 3p Plattform sind 17 mm hohe Module mit Press-Fit Anschlüssen, die es ermöglichen, einen Gate-Treiber direkt auf das Modul zu montieren. Daher besteht kein Risiko von EMV-Einkopplungen oder losen Anschlüssen. Das flache Gehäuse und die getrennten AC- und DC-Anschlüsse ermöglichen ein kompaktes, modernes Wechselrichterdesign.

Lötstellen an den Gateanschlüssen werden durch die hochzuverlässigen Press-Fit Kontakte vermieden. Dies führt zu einer erhöhten Produktzuverlässigkeit und -lebensdauer. Press-Fit Anschlüsse ermöglichen eine schnelle und einfache Gerätefertigung, optimiert durch eine durchgängige Montagerichtung, was die Herstellungskosten reduziert.

SEMiX 3p Module verfügen optional über einen eingebauten Shuntwiderstand zur Messung des AC-Ausgangslstroms, zugänglich über Press-Fit Anschlüsse. Dadurch bleiben Footprint und Hauptanschlüsse identisch mit dem Standardmodulund externeStromsensoren sind überflüssig. Die Integration der Stromüberwachung in das Leistungsmodul verkleinert das Wechselrichtervolumen und reduziert die Systemkosten. Gleichzeitig wird durch die Verringerung der Komponentenanzahl FIT-Rate des Gerätes verbessert.

SEMiX® 3 Press-Fit Hauptmerkmale

  • Ströme von 225 A bis 700 A, Spannungsklassen 650V, 1200V und 1700V
  • Halbbrücken-, Chopper, - 3-Level- und Common-Emitter-Topologien
  • Hybrid-SiC Module mit reduzierten Schaltverlusten
  • Neueste Generation 7 IGBTs
  • Typen mit integriertem Shunt-Widerstand zur Strommessung
  • Direkte Treibermontage
  • Vielseitiges Anschlusskonzept
  • Lötfreie Anschlüsse für maximale Lebensdauer

SEMiX® 3 Press-Fit Anwendungen

SEMiX 3p ist eine flexible und anwendungsorientierte Modulplattform. Die IGBT-Module beinhalten die neueste Chiptechnologie, optimiert für Motorantriebe, Schaltnetzteile, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Photovoltaiksysteme und Windenergieanlagen.

SEMiX® 3 Press-Fit Produktspektrum

Verfügbar in SEMiX 3p Gehäusen sind z.B. IGBT Halbbrücken-, Chopper-, 3-Level- und Common-Emitter-Module in den Spannungsklassen 650V, 1200 V und 1700 V, einige Typen auch mit integriertem Shunt-Widerstand.

SEMiX® IGBT Module

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SEMiX® Hybrid-SiC-Module

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