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SEMITOP® E1/E2 – bis zu 55 KW

SEMITOP Module der  2. Generation sind eine Plattform von bodenplattenlosen Leistungsmodulen mit einer Höhe von 12 mm, seitlicher Verschraubung sowie Press-Fit-Pins zur Kontaktierung. SEMITOP E1 und E2 wurden als Alternative zu den bestehenden Standard-Industrie-Gehäusen entwickelt, um unseren Kunden eine maximale Liefersicherheit zu gewährleisten. Die neuen Gehäuse stellen die natürliche Weiterentwicklung der bestehenden SEMITOP Plattform dar und führen das gewohnt hohe Leistungsniveau weiter. Beide Generation der SEMITOP-Plattform bleiben weiterhin parallel verfügbar.

SEMITOP® E1/E2 Vorteile

 

Mit SEMITOP E1und E2 wurde eine Alternative zu den etablierten Standard-Industrie-Gehäusen geschaffen. Die neue Modulgeneration wurde als Antwort auf den gestiegenen Kundenanspruch für eine sichere Lieferkette entwickelt. Die bodenplattenlosen Module verfügen über ein niederinduktives Design, 12 mm Höhe, zwei seitliche Befestigungsschrauben sowie Pin-Grid-Technologie mit Press-Fit zur lötfreien Montage. Die thermische Performance wurde durch ein optimiertes Chip-Layout deutlich verbessert. Das Pin-Grid-Konzept ermöglicht eine flexible Platzierung der Leistungs- und Hilfsanschlüsse, was die beiden wesentlichen Vorteile dieses Moduls hervorhebt: maximale Flexibilität in kompakter Bauweise.

Die Pin-Grid-Technologie erlaubt es die Anschlusspins nach den Kundenbedürfnissen zu platzieren, und dank der hohen Anzahl der Gehäusedurchführungen werden somit optimierte Platinenlayouts erreicht. Dadurch können Pins auch sehr nahe am Chip platziert werden, was eine niederinduktive Anbindung auch in kompakter Bauform erlaubt. All diese Eigenschaften machen die SEMITOP der 2. Generation zu einer vollständig kompatiblen Plattform zu den bestehenden Standard-Industrie-Gehäusen, welche zusätzlich eine äußerst flexible Modul-Architektur bereitstellt.  Die neue Plattform beinhaltet je nach Anwendung die modernsten Si und SiC Chip-Technologien, und stellt dadurch eine äußerst wettbewerbsfähige Produktlinie für Leistungsmodule in einem anspruchsvollem Umfeld dar, in welchem hohe Leistung, Innovation und Differenzierung die entscheidenden Erfolgsfaktoren sind. SEMITOP E1 und E2 bieten daher optimierten Platzbedarf, flexible Architektur und leistungsstarke Lösungen bei optimierten Systemkosten.

SEMITOP® E1/E2 Hauptmerkmale

  • Gehäuse mit geringer Streuinduktivität
  • Konzept mit zwei seitlichen Befestigungsschrauben
  • Press-fit Anschlüsse
  • Modul mit 12 mm Höhe
  • Keine Bodenplatte

SEMITOP® E1/E2 Anwendungen

SEMITOP E1 und E2 ermöglichen eine kostengünstige Konstruktion, welche für die Montage nur zwei Schrauben benötigt. Diese neue Produktgeneration ist für den unteren und mittleren Leistungsbereich bis 55 kW konzipiert, und deckt somit das gleiche Leistungsniveau der bestehenden und bewährten Plattform SEMITOP 1, 2, 3, 4 (Löt und Press-Fit) ab. Die Fähigkeit ein niederinduktives Design mit neuester Chip-Technologie in einem kompakten Gehäuse zu verbinden qualifiziert diese beiden Plattformen für verschiedene Anwendungsgebiete. Angefangen bei USV-Systemen über Photovoltaik und Stromversorgungen bis hin zu Motorantrieben und Ladegeräten für e-Mobility in neuen Schwellenmärkten.

SEMITOP® E1/E2 Produktpalette

Innerhalb SEMITOP E1 und E2 Familie ist eine große Auswahl an Konfigurationen möglich; von Standard-Topologien bis hin zu maßgeschneiderten Lösungen werden alle Marktanforderungen erfüllt.

  • 3-Level Topologie (NPC-MLI) bis 150 A / 650 V mit H5 IGBT-Technik (Standard und L5-Typ)
  • 3-Level-Topologie (TNPC-TMLI) 200 A / 1200 V schnelle Trench4 IGBT-Technologie im Halbbrückenzweig
  • 3-phasiger Wechselrichter bis 75 A / 650 V (Six-Pack)
  • CIB Konfigurationen (Converter-Inverter-Bremse) bis 35 A / 1200 V

Umfassendes Portfolio für 2-Level und 3-Level-Anwendungen

  • 3- phasiger Wechselrichter bis 75 A / 650 V, 75 A / 1200 V
  • CIB-Konfigurationen bis zu 50 A / 650 V, 35 A / 1200 V
  • NPC 3-Level-Wechselrichter mit den neuesten Hochleistungs-IGBT Generationen, bis 150 A / 650 V
  • TNPC 3-Level-Wechselrichter bis 200 A / 1200 V Trench IGBT4 High Speed

Optimale thermische Performance

  • Optimiertes Moduldesign für optimale thermische Wärmeverteilung
  • Effektive Wärmeverteilung für eine verbesserte thermische Leistung
  • Erhöhte Lebensdauer für verbesserte Zuverlässigkeit

Produktportfolio

  • Zwei Gehäusetypen für eine lückenlose Alternative zum Industriestandard
  • SEMITOP E1: 62,8 mm x 33,8 mm x 12 mm (LxBxH)
  • SEMITOP E2: 62,8 mm x 56,7 mm x 12 mm (LxBxH)
GehäuseTypenbezeichnungTopologieVCES [V] (H/NP)*IC,nom [A]Zusätzliche Features
SEMITOP E2SK200TMLI12F4TE2T-type 3-Level1200/650V200
SEMITOP E2SK150MLI07L5TD1E23-Level inverter650150H5/L5 IGBT Technologie
SEMITOP E2SK100MLI07L5TD1E23-Level inverter650100H5/L5 IGBT Technologie
SEMITOP E2SK75GD07E3ETE26-pack inverter65075
SEMITOP E2SK75GD07YETE26-pack inverter650752nd source IGBT
SEMITOP E1SK50GD07E3ETE16-pack inverter65050
SEMITOP E1SK50GD07YETE26-pack inverter650502nd source IGBT
SEMITOP E2SK35DGDL12T4ETE2CIB converter120035

* H = half bridge leg; NP: neutral point leg. For T-type 3-Level inverter only