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SEMITRANS® 2 - 9 – 45 kW bis 500 kW

SEMITRANS ist ein robustes Modul im Industrie-Standard mit Kupfer-Bodenplatte und Schraubklemmen für die Lastanschlüsse. Die SEMITRANS Baureihe besitzt ein niederinduktive Design und eignet sich für Wechselrichter von 20 kW bis 500 kW bei maximal 900A und 1700V. Die maximale Verfügbarkeit wird durch multiple Bezugsquellen der IGBT-Chips sowie durch die SEMIKRON eigenen CAL-Dioden gewährleistet. Mit über 25 Jahren Markterfahrung bietet die SEMITRANS Modulbaureihe ein bewährtes und verlässliches Standard-Design.

SEMITRANS® 2 - 9 Vorteile

  • Robustes Gehäuse im Industrie-Standard
  • Verschiedene IGBT-Lieferanten
  • Breites Portfolio
  • Besonders niederinduktives Design für sicheren Betrieb bei hohen ZK-Spannungen

SEMITRANS® 2 - 9 Hauptmerkmale

  • Erhältlich in 600 V, 1200 V und 1700 V
  • Von 25 A bis 900 A
  • Topologien: Halbbrücke, Einzelschalter, Chopper, Multi-Level, 6-Pack und gemeinsamer Emitter
  • Isolierte Kupferbodenplatte mit DBC
  • Integrierter Gate-Widerstand
  • Hohe Isolationsspannung

SEMITRANS® 2 - 9 Anwendungen

Die SEMITRANS Modulfamilie eignet sich für ein breites Anwendungsgebiet wie Um- und Wechselrichter für regenerative Energien als auch Stromversorgungen. Die bewährt lange Lebensdauer und Haltbarkeit qualifiziert die SEMITRANS Baureihe auch für anspruchsvolle Anwendungen wie Antriebe für AC-, Reluktanz und Gleichstrom-Motoren.

SEMITRANS® 2 - 9 Produktpalette

Die SEMITRANS-Familie bietet eine breite Palette von Topologien und Leistungsbereichen. Alle Standard-Spannungsklassen von 600 V bis 1700 V sind verfügbar. Der Strombereich erstreckt sich von 25 A bis 900 A. Das SEMITRANS-Gehäuse gibt es als Halbbrücke, Chopper, Einzelschalter, Multi-Level, 6-Pack und mit gemeinsamen Emitter.

Großes Portfolio

  • 25 A – 900 A, sechs Gehäusegrößen, verschiedene Topologien
  • Die perfekte Lösung für jede Anwendung
25 A – 900 A, sechs Gehäusegrößen, verschiedene Topologien

Erweiterte Serie mit höherem Strom pro Gehäusegröße

Erste High-Speed-IGBT4 – 1200 V-Module in 34 mm und 62 mm Gehäuse auf dem Markt

  • Für Schweiß-Anwendungen, Photovoltaik, Resonanzumrichter und medizinische Anwendungen
  • Mit optimierter ultraschnellen CAL4F Diode
  • Leistungsfähigere Typen aufgrund der erhöhten Stromdichte der Chips
  • Erhältlich in gut etablierten Gehäusen
  • Geringere Schaltverluste und Sättigungsspannung

Neue Typen einschließlich 1700 V IGBT Chip speziell für feuchte Umgebung

  • SKM75GB17E4H16
  • SKM150GB17E4GH16
  • SKM300GB17E4H16
  • Für MVI Markt
  • Verbesserte Zuverlässigkeit aufgrund robusterer IGBT-Chips
Gut bewährtes SEMITRANS Gehäuse

Gut bewährte SEMITRANS Gehäuse

  • Jetzt mit 30% mehr Leistung
  • Niederinduktives Design
  • Zuverlässiges mechanisches Gehäuse
  • Breites Spektrum an IGBT-Technologien