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SEMITRANS® 2-9 – 45kW~500MW

SEMITRANSは、銅ベースプレートと電力接続用のネジ端子を備えた堅牢な産業標準パッケー ジです。低インダクタンス設計で20kW~500kWのインバータに適用可能です。さまざまな IGBTソースとセミクロンCALダイオードにより、モジュールの最大定格は900A、1700Vです 。市場で25年以上の実績を誇るSEMITRANSパッケージは、実証済の標準設計が特長です。

SEMITRANS® 2-9 利点

  • 堅牢な産業標準パッケージ
  • 複数のIGBTソース
  • 幅広い製品ラインアップ
  • 高DCリンク電圧での安全な動作を確実にする、低インダクタンスで 特殊なケース

SEMITRANS® 2-9 主な特長

  • 定格電圧600V、650V、1200V、1700V
  • 定格電流25A~900A
  • ハーフブリッジ、シングルスイッチ、チョッパー、マルチレベル、6パック、およびエミッタ接地の回路構成
  • DBCを用いた絶縁銅ベースプレート
  • ゲート抵抗内蔵
  • 高絶縁耐圧

SEMITRANS® 2-9 アプリケーション

試行錯誤を重ね十分な検証を経たこのパッケージは、回生インバータ や電源などの幅広い用途に設計されています。 製品寿命が長く、ACドライブ、SRモータ、DCモータなどの大電力 用途に最適です。

SEMITRANS® 2-9 製品ラインアップ

SEMITRANSファミリーは、幅広い回路構成と出力範囲に対応してい ます。定格電圧は600V~1700V、定格電流は25A~900Aです。 SEMITRANSパッケージには、ハーフブリッジ、チョッパー、シング ルスイッチ、マルチレベル、6パック、およびエミッタ接地の回路構 成があります。

幅広い製品ラインアップ

  • 定格電流25A~900A、6つのケースサイズ、多様な回路構成
  • あらゆる用途に適合

SEMITRANS® IGBTモジュール

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SEMITRANS® フルSiC

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SEMITRANS® ハイブリッドSiC

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SEMITRANS® MOSFETモジュール

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製品ラインアップを拡張: 高速スイッチングと大出力

62mmケースでの出力増大:1200V/1700VのSEMITRANS 3製品ラインアップの拡張

  • 62mmケースで出力を33%増大
  • 実績のあるIGBTチップ技術ベース
  • ハーフブリッジ、チョッパー、およびエミッタ接地の回路構成 が使用可能
  • 定評のあるパッケージ

高速IGBT4 – 1200 Vモジュール: 新製品

  • 溶接、ソーラー、共振形インバータ、 医療用アプリケーション向け
  • 標準低出力IGBTに比べ、電力損失を低減
  • チップの電流密度増加により、高出力タイプも 利用可能
  • SEMIKRONの高速CAL4Uダイオード: 新製品 高速IGBTに最適
  • 定評のあるパッケージ

認証済のSEMITRANSパッケージ

  • 出力33%増大
  • 低インダクタンス設計
  • 高信頼性のパッケージ
  • 幅広いIGBT技

SEMITRANS® 新製品