芯片直接压接技术

将标准推向新的极限芯片直接压接技术

更高性能的紧凑型设计

作为双面烧结技术(DSS)的延续和发展,SEMIKRON于2016年推出了直接压接技术(DPD)。除了用DSS技术将芯片烧结到DBC和将柔性层之外,DPD技术还使用了一个压力元件,该元件直接在顶部施加压力。这就优化了热连接最需要加强的的地方:芯片的正下方。DBC与散热片之间没有固定的连接,这为散热选择提供了很大的灵活性。基于DPD的功率模块可以灵活地安装在自然冷却或强制冷却的散热器以及水冷散热器上。极薄的导热硅脂带来了极好的导热性能,实现系统超高功率密度。

DPD技术还可以用于标准的带基板或无基板封装中,以及高性能功率模块中。由于灵活和非刚性连接,机械应力最小,因此,热循环和功率循环能力达到新的高度。在电气方面,DPD技术具有低杂散电感,可以集成最新的宽带隙芯片技术,以实现极快的开关频率。

与传统的基于焊料组装和连接技术相比,DPD技术具有更高的功率密度和更长的使用寿命。因此,它开辟了新的系统解决方案,以满足日益增长的电力电子应用需求,如电动汽车的牵引逆变器。

Direct Pressed Die – 特点和优势

  • 高度可靠的烧结连接代替焊料和引线连接
  • 从芯片到散热器的高导热系数
  • 高功率密度
  • 高功率循环可靠性
  • 生命周期长
  • 由于芯片连接的接触面积大,可承受高的浪涌电流
  • 低杂散电感
  • 适用于宽禁带器件(如碳化硅)