SEMITRANS® 经典系列
更快开关速度，更高功率，成熟封装
SEMITRANS® 经典系列 – 25kW至500kW
SEMITRANS经典系列是一种稳健的工业标准封装，配备铜底板和螺丝安装功率端子。SEMITRANS经典系列封装采用低电感设计，可用于25kW至500kW的逆变器。通过多渠道采购的IGBT芯片以及CAL 二极管，SiC模块有带或不带混合SiC续流二极管的全SiC模块和带IGBT和SiC续流二极管的混合型SiC模块。这些模块的规格可达到900A和1700V。凭借超过25年的市场经验，SEMITRANS封装 提供成熟可靠、久经考验的标准化设计。
SEMITRANS® 经典系列 的优点
- 强壮的工业标准封装
- 多IGBT芯片源
- 可提供SiC MOSFET和混合SiC模块
- 丰富的产品系列
SEMITRANS®经典系列关键特性
- 提供600V、650V、1200V和1700V电压级别，电流从25A到900A的IGBT 模块
- 可提供1200V和1700V 电流从200A到500A的碳化硅模块
- 半桥、单开关、斩波器、多电平、三相全桥和共发射极拓扑结构
- 采用DBC技术实现铜地板绝缘 某一些碳化硅模块是AIN AMB
- 高绝缘电压
SEMITRANS® 经典系列 应用
这种久经考验的封装设计可用于广泛的应用，如能量回馈型逆变器 和电源。 超长的使用寿命完美契合严苛 应用。
SEMITRANS® 经典系列 产品范围
SEMITRANS经典系列提供丰富的拓扑结构和功率范围。可供选择 的标准电压级别涵盖600V到1700V。额定电流范围为50A到 900A。SEMITRANS封装具有半桥、斩波器、单开关、多电平、和共发射极拓扑结构。
广泛的产品系
- 50A - 900A，5种外壳尺寸，提供多种拓扑结构
- 完美契合任何应用
SEMITRANS® IGBT模块
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SEMITRANS®全碳化硅功率模块
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SEMITRANS®混合碳化硅功率模块
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新面世的产品
配置IGBT M7芯片的 SEMITRANS 2 和 SEMITRANS 3
- 正向压降低
- 耐湿性强
- 多源 IGBT M7
- 半桥 (GB) 和共发射极 (GM) 型
- 电机驱动、UPS 系统、光伏和储能系统、电源、焊接
优化的SEMITRANS 3 IGBT模块，应用场景为光伏、储能、电源和UPS
- 1200V IGBT模块配置IGBT4 (12E4/12T4) 和IGBT7(12M7) 芯片
- 优化续流二极管,降低导通损耗
- 半桥(GB)和共发射极(GM)模块，可以组成split-TNPC拓扑
- 工业标准封装（完全兼容）
650V 类型的产品组合扩展
- 将 650V 产品组合扩展至更低的电流等级
- 半桥 (GB) 型
- 替代 600V IGBT 2 ("063")
- 电机驱动、UPS 系统、电源、焊接/切割
半运输 2 和 半运输 3
数据表
| 量产型号 | 样品阶段 |
|---|---|
| SEMITRANS 3 | SEMITRANS 2 |
| SKM300GB12M7 | SKM75GB12M7 |
| SKM400GB12M7 | SKM100GB12M7 |
| SKM460GB12M7 | SKM150GB12M7 |
| SKM460GM12M7 | SKM200GB12M7 |
| SKM600GB12M7 | SEMITRANS 3 |
| SKM600GM12M7 | SKM150GB12M7G |
| SKM200GB12M7G | |
| SKM800GB12M7 |
| 量产型号 | 样品阶段 |
|---|---|
| SKM450GB12E4D1 | SKM600GB12M7D1 |
| SKM450GB12T4D1 | SKM800GB12M7 |
| SKM600GB12E4D1 | SKM800GM12M7 |
| SKM600GM12E4D1 | |
| 量产型号 | 样品阶段 |
|---|---|
| SKM75GB07E3 | - |
| SKM100GB07E3 | - |
| SKM150GB07E3 | - |
SEMITRANS SiC 模块实现更高的开关频率
混合SiC SEMITRANS 3 模块
IGBT 4 和SiC 二极管
- 62毫米半桥拓扑
- 1200V，200A的IGBT4和1200V，80A或160A的SiC肖特基二极管
- 低电感设计
- 可靠的封装技术
全SiC SEMITRANS 3 模块
使用SiC MOSFET ****
- 62毫米半桥拓扑
- 1200V/350A和500A，1700V/260A SiC MOSFET
- 防湿性强的Rohm Gen 2 SiC MOSFET芯片
- 模块封装配备AlN AMB
- 低电感设计
- 可靠的封装技术
全SiC SEMITRANS 3 模块
SiC MOSFET 和混合SiC 二极管
- 62毫米半桥
- 1200V/350A, 1700V/260A的SiC MOSFET
- 防湿性强的Rohm Gen 2 SiC MOSFET和肖特基二极管芯片
- 模块封装配备AlN AMB
- 低电感设计
- 可靠的封装技术