SEMITOP® E1/E2

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SEMITOP® E1/E2 – 可达200kW

SEMITOP E1和E2提供芯片级的统一标准工业封装替代方案,以确保供应链安 全。SEMITOP平台提供更高的模块性能和低电感封装,可集成最新的高性能硅和碳化硅芯 片。

SEMITOP® E1/E2优势

SEMITOP E1和SEMITOP E2可满足客户对安全供应链的需求。出色的散热表现加之低电感设计使SEMITOP E1和E2非常适合最新的Si和SiC芯片技术。

SEMITOP® E1/E2代表了SEMITOP平台高性能封装水平的自然演进,优化的封装,非常灵活的架构和高性能为优化了系统成本提供了解决方案。

集成了最新的Si和SiC芯片技术,SEMITOP E1/E2可以提供一个有竞争力的平台。当高性能,创新,质量标准和成本是关键的制胜因素时,SEMITOPE1/E2是最优的解决方案。

作为SEMITOP® 1-4系列的延伸,SEMITOP® E将灵活性和功率密度推向极限,使平台能够覆盖高达200kW的应用。SEMITOP® E有两种不同的外壳尺寸,E1和E2,提供了两种不同的封装。

SEMITOP® E1/E2关键特性

  • 12mm模块高度
  • 减少铜底板
  • Press-fit或焊接端子
  • 双螺钉简易安装理念
  • 最优的封装,优越的热性能
  • 灵活的架构
  • 低杂散电感设计
  • 可预涂导热硅脂

SEMITOP® E1/E2应用

SEMITOP E1和E2设计用于70kW以下的中低功率范围,覆盖、完善 并提升了SEMITOP 1、2、3、4的功率等级。紧凑结构和低电感设计 加上最新的芯片技术,使得SEMITOP E1和E2适用于不同市场,如 UPS、太阳能、储能、 电机驱动器、电源和新兴电动汽车电池充电桩市场。

SEMITOP® E1/E2产品范围

SEMITOP E1/E2组合集成了Si和SIC二极管,快速650V/1200V IGBT,以及Si和SiC MOSFET。SEMITOPT E1/E2可以提供多种配置,从标准拓扑到定制解决方案。

  • 三电平中性点夹(NPC),单相和3相
  • 三电平有源中性点夹钳(ANPC)
  • 三电平T型NPC(TNPC),单相和3相
  • 三电平分体式NPC/ANPC
  • 升压斩波器
  • 三相全桥逆变器(Sixpack)
  • 变流器-转换器-制动器
  • 桥式整流器
  • SiC和混合的SiC配置
  • 根据具体要求定制配置

SEMITOP® IGBT模块

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SEMITOP®全碳化硅功率模块

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SEMITOP® MOSFET模块

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SEMITOP®桥式整流器模块

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工业标准结合卓越性能

广泛的产品系列

拓扑结构和电流等级
  • 适合二电平和三电平应用的全面产品系列适用于广泛的应用如UPS、储能、 太阳能、 电机驱动、电动汽车充电系统
  • 芯片采购渠道多样化

最先进的产品

最先进的产品
  • 最新硅和碳化硅技术
  • 低电感设计 降至4nH
  • 相当大的设计灵活性
  • 集成SMD元件(NTC、分流、电容、栅极电阻)可根据客户需求定制

优越的热性能

热阻Rth,j-s [K/W],带标准热脂
  • 优化的模块设计,实现极低的热阻
  • 更低的Tj可实现更高的效率和更长的寿命