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SEMITRANS®的优势

凭借超过25年的市场经验,SEMITRANS 2-9提供成熟可靠的设计。得益于低电感设计,它仍然适用于最新一代芯片,包括碳化硅。SEMITRANS 10将功率范围拓展至兆瓦级应用领域,利用最新的SEMIKRON封装技术,包括可实现最高可靠性和最低热阻的芯片直压(Direct Pressed Die)技术。SEMITRANS 20用于中压应用,采用低电感且易于并联的功率模块设计。

SEMITRANS®产品系列

SEMITRANS® 2-9

SEMITRANS 2-9是一种稳健的工业标准封装,配备铜底板和用于功率连接的螺丝端子。SEMITRANS 2-9封装采用低电感设计,可用于20kW至500kW的逆变器。

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SEMITRANS® 10

SEMITRANS 10是一种稳健的工业标准封装,配备铜底板和用于功率连接的螺丝端子。SEMITRANS 10封装采用低电感设计,提供1200V(1400A)和1700V(1000A/1400A)半桥拓扑结构以及MLI结构(1200V IGBT技术,额定输出电流1200A)。

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SEMITRANS® 20

用于中压市场采用最新3.3KV的IGBT芯片的最佳设计,SEMITRANS20 设计为半桥结构,同时内置温度传感器,而且DC和AC端子在模块的两端。

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SEMITRANS®的关键特性

  • 半桥、斩波器、单开关、MLI、共发射极
  • 采用DBC技术的隔离铜底板
  • 集成门极电阻
  • 高隔离电压

SEMITRANS®的应用

SEMITRANS功率模块适用于广泛的应用,如电机驱动器、能量回馈型逆变器、电源或反应应用。超长的使用寿命完美契合交流变频器、开关磁阻和直流电机等严苛应用。

SEMITRANS®的产品范围

SEMITRANS系列提供广泛的拓扑结构和功率范围。可供选择的标准电压级别涵盖600V到3300V。额定电流范围为25A到1800A。SEMITRANS封装具有半桥、斩波器、单开关、MLI和共发射极拓扑结构。

SEMITRANS® IGBT模块