碳化硅功率模块的 (SiC)
领先的芯片和封装技术,实现最大能效
碳化硅功率模块 – 10kW至350kW
赛米控碳化硅功率模块:结合行业标准封装和先进的封装技术。
碳化硅功率模块的关键特性
- 更高的开关频率,够优化滤波元件并降低其成本
- 冷却设备更紧凑,降低功率损耗,从而提升效率并降低系统成本和规模
- 领先供应商提供的最新的碳化硅芯片
- 标准工业封装,按照碳化硅的要求进行优化:电感,低热阻
- 针对实际应用优化芯片组
碳化硅功率模块的应用
- 太阳能逆变器:升压电路和逆变器应用
- 储能系统:大效率和低噪声
- UPS:高效双转换系统
- 电机驱动器:主动前端与电机侧(混合碳化硅)
- 电源:牵引应用、感应加热等的助电源
领先的芯片和封装技术,实现最大能效
赛米控封装技术和领先的芯片供应商
- 优化芯片封装,具有更小电感,便于快速开关
- 由于使用赛米控封装技术,实现更小热阻
- 客户定制芯片组,与客户的要求完全一致
- 涵盖10–350kW大范围功率的全碳化硅和混合碳化硅模块
- 一系列工业标准封装
- 来自领先芯片供应商的碳化硅肖特基二极管和MOSFET
碳化硅功率模块产品范围
我们的产品涵盖10kW至350kW功率范围,电压级别为1200V,提供七种不同封装。MiniSKiiP和SEMITOP为低功率模块,功率最高25kW,两者都不带铜底板。MiniSKiiP提供通过各种试验的SPRiNG技术,应用于全碳化硅三相全桥,带或不带碳化硅肖特基续流二极管。配合标准工业封装SEMITOP E1/E2,第一代和第二代SEMITOP模块可帮助实现最大的灵活性。
中高功率系列包括SEMITRANS 3、SKiM63/93和SEMiX 3Press-Fit,有混合和全碳化硅两种拓扑结构,额定芯片电流高达600A。SEMIPACK和SEMITOP封装的快速整流器模块中应用了采用SIC芯片的肖特基二极管。
全碳化硅功率模块
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混合碳化硅功率模块
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SEMITOP E1/E2 全碳化硅平台
SEMITOP E1/E2全碳化硅平台采用最新的第三代SiC MOSFET芯片,提供三相全桥、半桥和全桥三种拓扑
SEMITOP E2半桥拓扑模块有两种引脚设计:
- Pin-out 1 满足客户芯片级的多供应商战略
- Pin-out 2专为并联和简化PCB设计而优化
The SEMITOP E1/E2 SiC 功率模块具有较低的电阻(特定的Rds,on)温度系数,结合极低的模块封装热阻,展现了前所未有的性能。导通电阻Rds,on 温度系数低至0.1mΩ/K。
由于在设计阶段进行了全面的仿真,所有模块都为最高的开关频率而设计,性能出众,运行稳定。输入电容与米勒电容的高比值(ciss/crss)可防止寄生导通。
SEMITOP 型号名称 | 拓扑 | 电流 | 导通电阻 Rds,on (25°C) | 封装 | 引脚 |
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SK40MD120CR03ETE1 | Sixpack | 40A | 32mΩ | SEMITOP E1 | Multiple Sourcing |
SK40MH120CR03TE1 | H-Bridge | 40A | 32mΩ | SEMITOP E1 | Multiple Sourcing |
SK80MH120CR03TE1 | H-Bridge | 80A | 16mΩ | SEMITOP E1 | Multiple Sourcing |
SK40MB120CR03TE1 | Half-Bridge | 40A | 32mΩ | SEMITOP E1 | Multiple Sourcing |
SK80MB120CR03TE1 | Half-Bridge | 80A | 16mΩ | SEMITOP E1 | Multiple Sourcing |
SK150MB120CR03TE2 | Half-Bridge | 150A | 8mΩ | SEMITOP E2 | Multiple Sourcing |
SK200MB120CR03TE2 | Half-Bridge | 200A | 6.4mΩ | SEMITOP E2 | Multiple Sourcing |
SK250MB120CR03TE2 | Half-Bridge | 250A | 5.3mΩ | SEMITOP E2 | Multiple Sourcing |
SK250MB120CR03TE2V1 | Half-Bridge | 250A | 5.3mΩ | SEMITOP E2 | Optimized Paralleling |