碳化硅功率模块的 (SiC)

领先的芯片和封装技术,实现最大能效

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碳化硅功率模块 – 10kW至350kW

赛米控丹佛斯碳化硅功率模块:用最新的SiC芯片,结合行业标准封装和先进的封装技术。

碳化硅功率模块的优点

赛米控丹佛斯的混合碳化硅和SiC MOSFET功率模块结合了成熟的工业标准功率模块和赛米控丹佛斯封装技术的优点。得益于多种封装优化,碳化硅的各种优点得以充分利用。

模块换向电感降低可以实现SiC MOSFET的全速开关。更高的开关速度可以转换成更高的开关频率,从而得到更小的磁性过滤器 元件。同时可以降低开关损耗,提高系统效率。精密的材料和封装技术可以将芯片与散热片之间的热阻减至更小,从而实现更高的功率密度。

碳化硅功率模块的关键特性

  • 采用来自领先供应商的最新SiC芯片
  • 更高的开关频率,使用更少的滤波元件并降低其成本
  • 冷却设备更紧凑,降低功率损耗,从而提升效率并降低系统成本和规模
  • 标准工业封装,按照碳化硅的要求进行优化:电感,低热阻
  • 针对实际应用优化芯片组
The Ultimate Partner for Silicon Carbide Power Modules

碳化硅功率模块的应用

  • 太阳能逆变器:升压电路和逆变器应用
  • 储能系统:大效率和低噪声
  • UPS:高效双转换系统
  • 电机驱动器:主动前端与电机侧(混合碳化硅和SiC MOSFET 三相全桥和半桥)
  • 电源:牵引应用、感应加热,焊接等的辅助电源

领先的芯片和封装技术,实现最大能效

混合碳化硅模块:功率损耗降低50%,使用更简单

  • IGBT开关与碳化硅肖特基二极管相结合
  • 几乎没有二极管损耗,并显著减少IGBT开关损耗
  • 高速IGBT和碳化硅肖特基二极管使关损耗降低50%
  • 轻松实现成本优化的碳化硅解决方案:动器或系统无需进行重大设计变更,使用的碳化硅芯片面积小,能够限制成本 

参考:太阳能逆变器,储能系统,大功率汽车充电站,高效、高速电机驱动。

SiC MOSFET模块:无与伦比的效率和性能

  • 最大开关频率下带来极佳效率
  • 最新碳化硅MOSFET技术
  • 满足客户需求的优化芯片组
  • 带或不带碳化硅肖特基续流二极管

参考:太阳能逆变器,牵引辅助电源,运动和赛车

赛米控丹佛斯封装技术和领先的芯片供应商

  • 优化芯片封装,具有更小电感,便于快速开关
  • 由于使用赛米控丹佛斯封装技术,实现更小热阻
  • 客户定制芯片组,与客户的要求完全一致
  • 涵盖10kW–350kW大范围功率的SiC MOSFET和混合碳化硅模块
  • 一系列工业标准封装
  • 来自领先芯片供应商的碳化硅肖特基二极管和MOSFET

碳化硅功率模块产品范围

我们的产品涵盖10kW至350kW功率范围,闭锁电压级别从1200V到1700V。。MiniSKiiP和SEMITOP为低功率模块,功率最高25kW, SEMITOP经典模块与行业标准的SEMITOP E1/E2相结合,有助于实现最大的灵活性。

中高功率系列包括SEMITRANS 3、SKiM93和SEMiX 3P封装,有混合和SiC MOSFET两种拓扑结构,额定芯片电流高达600A。SEMIPACK和SEMITOP封装的快速整流器模块中应用了采用SIC芯片的肖特基二极管。

全碳化硅功率模块

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混合碳化硅功率模块

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SEMITOP E1/E2 SiC MOSFET平台

SEMITOP E1/E2 SiC MOSFET平台采用最新的一代的SiC MOSFET芯片,提供三相全桥、半桥和全桥三种拓扑

SEMITOP E2半桥拓扑模块有两种引脚设计:

  • Pin-out 1 满足客户芯片级的多供应商战略
  • Pin-out 2专为并联和简化PCB设计而优化

The SEMITOP E1/E2 SiC 功率模块具有较低的电阻(特定的RDS(on))温度系数,结合极低的模块封装热阻,展现了前所未有的性能。导通电阻RDS(on) 温度系数低至0.1mΩ/K。

由于在设计阶段进行了全面的仿真,所有模块都为最高的开关频率而设计,性能出众,运行稳定。输入电容与米勒电容的高比值(ciss/crss)可防止寄生导通。

为并联和简化PCB设计而优化的引脚设计