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碳化硅功率模块 – 10kW至350kW

赛米控碳化硅功率模块: 结合行业标准封装和先进的封装技术。

碳化硅功率模块的优点

赛米控的混合碳化硅和全碳化硅功率模块结合了成熟的工业标准功率模块和赛米控封装技术的优点。得益于多种封装优化,碳化硅的各种优点得以充分利用。

模块换向电感降低可以实现SiC MOSFET的全速开关。更高的开关速度可以转换成更高的开关频率,从而得到更小的磁性过滤器元件。同时可以降低开关损耗,提高系统效率。 精密的材料和封装技术可以将芯片与散热片之间的热阻减至更小,从而实现更高的功率密度。

碳化硅功率模块的关键特性

  • 更高的开关频率,能够优化滤波元件并降低其成本
  • 冷却设备更紧凑,降低功率损耗,从而提升效率并降低系统成本和规模
  • 领先供应商提供的最新的碳化硅芯片
  • 标准工业封装,按照碳化硅的要求进行优化:低电感,低热阻
  • 针对实际应用优化芯片组

碳化硅功率模块的应用

  • 太阳能逆变器:升压电路和逆变器应用
  • 储能系统:最大效率和低噪声
  • UPS:高效双转换系统
  • 电机驱动器:主动前端与电机侧(混合碳化硅)
  • 电源:牵引应用、感应加热等的辅助电源


领先的芯片和封装技术实现最大能效

混合碳化硅模块:
功率损耗降低50%,应用简便

开关损耗
  • IGBT开关与碳化硅肖特基二极管相结合
  • 几乎没有二极管损耗,并显著减少IGBT开关损耗
  • 高速IGBT和碳化硅肖特基二极管使开关损耗降低50%
  • 轻松实现成本优化的碳化硅解决方案:驱动器或系统无需进行重大设计变更,使用的碳化硅芯片面积小,能够限制成本

参考:太阳能逆变器,储能系统,大功率汽车充电站,高效、高速电机驱动。

全碳化硅模块:
无与伦比的效率和性能

全碳化硅200A SEMITOP E2 与硅400A MiniSKiiP
  • 最大开关频率下效率>99%
  • 最新碳化硅沟槽MOSFET技术
  • 满足客户需求的优化芯片组
  • 带或不带碳化硅肖特基续流二极管

参考:太阳能逆变器,牵引辅助电源,运动和赛车

赛米控封装技术和领先的芯片供应商

  • 优化芯片封装,具有更小电感,便于快速开关
  • 由于使用赛米控封装技术,实现更小热阻
  • 客户定制芯片组,与客户的要求完全一致
  • 10–350kW大范围功率范围的全碳化硅和混合碳化硅模块
  • 一系列工业标准封装
  • 来自领先芯片供应商的碳化硅肖特基二极管和MOSFET

碳化硅功率模块产品范围

我们的产品涵盖10kW至350kW功率范围,电压级别为1200V,提供七种不同封装。MiniSKiiP和SEMITOP为低功率模块,功率最高25kW两者都不带铜底板。MiniSKiiP提供通过各种试验的SPRiNG技术,应用于全碳化硅三相全桥,带或不带碳化硅肖特基续流二极管。配合标准工业封装SEMITOP E1/E2,第一代和第二代SEMITOP模块可帮助实现最大的灵活性。

中高功率范围由SEMITRANS 3、SKiM63/93和SEMiX 3 Press-Fit提供,采用混合和全碳化硅拓扑,可获得高达600A的额定芯片电流。SEMIPACK和SEMITOP封装的快速整流器模块中也应用了采用SIC芯片的肖特基二极管。

全碳化硅功率模块

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  • MiniSKiiP II 1 (42x40x16)
    1200
    25
    Six Pack
    Sample status
  • MiniSKiiP II 1 (42x40x16)
    1200
    25
    Six Pack
    Sample status
  • MiniSKiiP II 2 (59x52x16)
    1200
    72
    Six Pack
    Sample status
  • MiniSKiiP II 1 (42x40x16)
    1200
    t.b.d.
    Six Pack
    Sample status
  • SEMITOP 3 Press-Fit (31x55x12)
    1200
    39
    Six Pack
    In production new
  • SEMITOP 3 Press-Fit (31x55x12)
    1200
    39
    Single Switch
    Sample status
  • SEMITOP 2 Press-Fit (28x40.5x12)
    1200
    26
    H-Bridge
    Sample status
  • SEMITOP 2 Press-Fit (28x40.5x12)
    1200
    40
    H-Bridge
    Sample status
  • SEMITOP 2 Press-Fit (28x40.5x12)
    1200
    18
    H-Bridge
    Sample status
  • SEMITOP 2 Press-Fit (28x40.5x12)
    1200
    36
    Customer Specific
    Sample status
  • SEMITOP E2 (63x57x12)
    1200
    400
    Half Bridge
    Sample status
  • SEMITRANS 3 (106x62x31)
    1200
    541
    Half Bridge
    Sample status
  • SEMITRANS 3 (106x62x31)
    1200
    523
    Half Bridge
    Sample status
  • SEMITRANS 3 (106x62x31)
    1200
    523
    Half Bridge
    Sample status
  • SEMIPACK 2 (94x34x30)
    1200
    64
    Single Switch
    Sample status

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混合碳化硅功率模块

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  • SEMITRANS 3 (106x62x31)
    1200
    200
    Half Bridge
    SiC Diode + IGBT 4 (Trench)
    Sample status
  • SEMITRANS 3 (106x62x31)
    1200
    200
    Half Bridge
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status
  • SEMITRANS 3 (106x62x31)
    1200
    200
    Half Bridge
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status
  • SKIM 93 (160x150x35)
    1200
    450
    Six Pack
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
  • SEMiX 3p (150x62x17)
    1200
    600
    Half Bridge
    SiC Diode + IGBT 4 (Trench)
    Sample status
  • MiniSKiiP II 2 (59x52x16)
    1200
    50
    Six Pack
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status
  • MiniSKiiP II 3 (82x59x16)
    1200
    100
    Six Pack
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status
  • MiniSKiiP II 3 (82x59x16)
    1200
    150
    Six Pack
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status
  • MiniSKiiP II 3 (82x59x16)
    1200
    300
    Half Bridge
    IGBT 4 Fast (Trench)
    Sample status
  • MiniSKiiP II 3 (82x59x16)
    1200
    400
    Customer Specific
    IGBT 4 Fast (Trench)
    Sample status
  • MiniSKiiP II 3 (82x59x16)
    1200
    400
    Customer Specific
    IGBT 4 Fast (Trench)
    Sample status

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