碳化硅功率模块的 (SiC)
领先的芯片和封装技术，实现最大能效
碳化硅功率模块 – 10kW至350kW
赛米控碳化硅功率模块：结合行业标准封装和先进的封装技术。
碳化硅功率模块的优点
赛米控的混合碳化硅和SiC MOSFET功率模块结合了成熟的工业标准功率模块和赛米控封装技术的优点。得益于多种封装优化，碳化硅的各种优点得以充分利用。
模块换向电感降低可以实现SiC MOSFET的全速开关。更高的开关速度可以转换成更高的开关频率，从而得到更小的磁性过滤器 元件。同时可以降低开关损耗，提高系统效率。精密的材料和封装技术可以将芯片与散热片之间的热阻减至更小，从而实现更高的功率密度。
碳化硅功率模块的关键特性
- 更高的开关频率，够优化滤波元件并降低其成本
- 冷却设备更紧凑，降低功率损耗，从而提升效率并降低系统成本和规模
- 领先供应商提供的最新的碳化硅芯片
- 标准工业封装，按照碳化硅的要求进行优化：电感，低热阻
- 针对实际应用优化芯片组
碳化硅功率模块的应用
- 太阳能逆变器：升压电路和逆变器应用
- 储能系统：大效率和低噪声
- UPS：高效双转换系统
- 电机驱动器：主动前端与电机侧（混合碳化硅和SiC MOSFET 三相全桥和半桥）
- 电源：牵引应用、感应加热等的助电源
领先的芯片和封装技术，实现最大能效
混合碳化硅模块：功率损耗降低50%，用简便
- IGBT开关与碳化硅肖特基二极管相结合
- 几乎没有二极管损耗，并显著减少IGBT开关损耗
- 高速IGBT和碳化硅肖特基二极管使关损耗降低50%
- 轻松实现成本优化的碳化硅解决方案：动器或系统无需进行重大设计变更，使用的碳化硅芯片面积小，能够限制成本
参考：太阳能逆变器，储能系统，大功率汽车充电站，高效、高速电机驱动。
SiC MOSFET模块：无与伦比的效率和性能
- 最大开关频率下带来极佳效率
- 最新碳化硅MOSFET技术
- 满足客户需求的优化芯片组
- 带或不带碳化硅肖特基续流二极管
参考：太阳能逆变器，牵引辅助电源，运动和赛车
赛米控封装技术和领先的芯片供应商
- 优化芯片封装，具有更小电感，便于快速开关
- 由于使用赛米控封装技术，实现更小热阻
- 客户定制芯片组，与客户的要求完全一致
- 涵盖10–350kW大范围功率的SiC MOSFET和混合碳化硅模块
- 一系列工业标准封装
- 来自领先芯片供应商的碳化硅肖特基二极管和MOSFET
碳化硅功率模块产品范围
我们的产品涵盖10kW至350kW功率范围，电压级别为1200V，提供七种不同封装。MiniSKiiP和SEMITOP为低功率模块，功率最高25kW，两者都不带铜底板。MiniSKiiP提供通过各种试验的SPRiNG技术，应用于全碳化硅三相全桥，带或不带碳化硅肖特基续流二极管。配合标准工业封装SEMITOP E1/E2，第一代和第二代SEMITOP模块可帮助实现最大的灵活性。
中高功率系列包括SEMITRANS 3、SKiM63/93和SEMiX 3Press-Fit，有混合和SiC MOSFET两种拓扑结构，额定芯片电流高达600A。SEMIPACK和SEMITOP封装的快速整流器模块中应用了采用SIC芯片的肖特基二极管。
全碳化硅功率模块
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混合碳化硅功率模块
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SEMITOP E1/E2 SiC MOSFET平台
SEMITOP E1/E2SiC MOSFET平台采用最新的第三代SiC MOSFET芯片，提供三相全桥、半桥和全桥三种拓扑
SEMITOP E2半桥拓扑模块有两种引脚设计：
- Pin-out 1 满足客户芯片级的多供应商战略
- Pin-out 2专为并联和简化PCB设计而优化
The SEMITOP E1/E2 SiC 功率模块具有较低的电阻(特定的Rds,on)温度系数，结合极低的模块封装热阻，展现了前所未有的性能。导通电阻Rds,on 温度系数低至0.1mΩ/K。
由于在设计阶段进行了全面的仿真，所有模块都为最高的开关频率而设计，性能出众，运行稳定。输入电容与米勒电容的高比值（ciss/crss）可防止寄生导通。
| SEMITOP 型号名称 | 拓扑 | 电流 | 导通电阻 Rds,on (25°C) | 封装 | 引脚 |
|---|---|---|---|---|---|
| SK40MD120CR03ETE1 | Sixpack | 40A | 32mΩ | SEMITOP E1 | Multiple Sourcing |
| SK40MH120CR03TE1 | H-Bridge | 40A | 32mΩ | SEMITOP E1 | Multiple Sourcing |
SK80MH120CR03TE1 | H-Bridge | 80A | 16mΩ | SEMITOP E1 | Multiple Sourcing |
| SK40MB120CR03TE1 | Half-Bridge | 40A | 32mΩ | SEMITOP E1 | Multiple Sourcing |
| SK80MB120CR03TE1 | Half-Bridge | 80A | 16mΩ | SEMITOP E1 | Multiple Sourcing |
| SK150MB120CR03TE2 | Half-Bridge | 150A | 8mΩ | SEMITOP E2 | Multiple Sourcing |
| SK200MB120CR03TE2 | Half-Bridge | 200A | 6.4mΩ | SEMITOP E2 | Multiple Sourcing |
| SK250MB120CR03TE2 | Half-Bridge | 250A | 5.3mΩ | SEMITOP E2 | Multiple Sourcing |
| SK250MB120CR03TE2V1 | Half-Bridge | 250A | 5.3mΩ | SEMITOP E2 | Optimized Paralleling |