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碳化硅功率模块 – 10kW – 350kW

如今,赛米控碳化硅功率模块结合了多项关键特性:丰富的连接技术、较宽的输出功率范围和最高的效率。提供七种不同封装的混合和全碳化硅模块,每种封装都独具特色,针对低电感进行了优化设计。

碳化硅功率模块的优点

赛米控混合碳化硅功率模块是降低功率损耗和提高开关频率的简易方案,结合了最新的IGBT技术和碳化硅肖特基二极管。要实现99%的效率提升、最小的功率损耗以及最大的输出功率和功率密度,全碳化硅模块必须用于碳化硅MOSFET开关。

由于MOSFET具有体二极管,在任何情况下都无需外部反并联二极管,而且有利于进一步提升效率。赛米控提供的功率模块采用来自领先供应商的碳化硅芯片,经测试符合赛米控著名的质量和可靠性标准。

碳化硅功率模块的关键特性

  • 更高的开关频率能够优化滤波元件并降低其成本
  • 降低的功率损耗实现了效率的提升,并通过更紧凑的冷却设备降低了系统成本和尺寸
  • 领先供应商提供的最新的碳化硅芯片
  • 为您的应用提供各类封装和连接技术以及优化的芯片组
  • 标准工业封装

碳化硅功率模块的应用

碳化硅功率模块具有完美的技术,利用它构建的系统能够提供技术和商业优势。随着开关频率的提高,升压应用中的滤波元件(如扼流电感)或电源、UPS或太阳能逆变器中的负载端滤波器数量将显著减少。

另外,功率损耗得以降低,节省了系统冷却方面的成本,可使用更低功率的风扇和更小的散热器,或者从以往的强制风冷应用改为自然对流冷却设计。最终将实现最大的整体系统效率,而这是满足先进功率转换系统需求的关键优势。

混合碳化硅模块:
功率损耗降低50%,应用简便

混合碳化硅功率模块将IGBT开关管与碳化硅肖特基续流二极管的优点相结合:几乎没有二极管开关损耗,大幅降低IGBT开通损耗。这样,模块的开关损耗可下降30%。使用高速器件替代标准IGBT也能降低IGBT关断损耗。开关损耗的降幅高达50%。混合碳化硅功率模块是中高功率应用的不二之选:其应用简便,无需更换驱动,使用的碳化硅芯片面积小,因此对模块成本的影响比较温和。

全碳化硅模块

全碳化硅功率模块使用碳化硅MOSFET作为开关器件,可带或不带碳化硅续流二极管。碳化硅MOSFET功率损耗极低,因此能提供最大的效率和功率密度。 使用碳化硅肖特基续流二极管可帮助提升两方面的价值:有望同时实现更高的开关频率和效率。

另外,还可大幅提升功率密度。 用于DC/DC变换器应用的整流器模块使得整个产品系列更趋完善。

领先供应商的碳化硅芯片与赛米控封装技术的强强联合

  • 采用焊接或烧结方式装配芯片,可实现高温运行和最高的可靠性
  • 焊接或免焊接(弹簧/Press-fit)PCB装配方式
  • 以多种工业标准封装提供较宽的功率范围
  • 针对低杂散电感而优化的功率模块
  • 模块可带或不带铜底板
  • 客户专属解决方案
  • 提供应用样品和门极驱动,使部署和启动更简便

碳化硅功率模块产品范围

我们的产品涵盖10kW至350kW功率范围,电压级别为1200V,提供七种不同封装。MiniSKiiP和SEMITOP为低功率模块,功率最高25kW,两者都不带铜底板。MiniSKiiP将久经验证的SPRiNG技术应用于混合和全碳化硅三相全桥拓扑结构,带或不带碳化硅肖特基续流二极管。工业标准封装SEMITOP E1/E2搭配第一代SEMITOP模块有助于实现最大的定制灵活度。

中高功率系列包括SEMITRANS 3、SKiM63/93和SEMiX 3 Press-Fit,有混合和全碳化硅两种拓扑结构,额定芯片电流高达600A。

全碳化硅功率模块

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  • MiniSKiiP II 1 (42x40x16)
    1200
    25
    Six Pack
    Sample status
  • MiniSKiiP II 1 (42x40x16)
    1200
    25
    Six Pack
    Sample status
  • MiniSKiiP II 2 (59x52x16)
    1200
    72
    Six Pack
    Sample status
  • SEMITOP 3 Press-Fit (31x55x12)
    1200
    39
    Six Pack
    Sample status
  • SEMITOP 3 Press-Fit (31x55x12)
    1200
    40
    Single Switch
    Sample status
  • SEMITOP 2 Press-Fit (28x40.5x12)
    1200
    26
    H-Bridge
    Sample status
  • SEMITOP 2 Press-Fit (28x40.5x12)
    1200
    40
    H-Bridge
    Sample status
  • SEMITOP 2 Press-Fit (28x40.5x12)
    1200
    36
    H-Bridge
    Sample status
  • SEMITOP 2 Press-Fit (28x40.5x12)
    1200
    14
    H-Bridge
    Sample status
  • SEMITOP E2 (63x57x12)
    1200
    3-level
    Sample status
  • SEMITRANS 3 (106x62x31)
    1200
    541
    Half Bridge
    Sample status
  • SEMITRANS 3 (106x62x31)
    1200
    523
    Half Bridge
    Sample status
  • SEMITRANS 3 (106x62x31)
    1200
    523
    Half Bridge
    Sample status
  • SEMIPACK 2 (94x34x30)
    1200
    80
    Single Switch
    Sample status

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混合碳化硅功率模块

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  • SEMITRANS 3 (106x62x31)
    1200
    200
    Half Bridge
    SiC Diode + IGBT 4 (Trench)
    Sample status
  • SEMITRANS 3 (106x62x31)
    1200
    200
    Half Bridge
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status
  • SEMITRANS 3 (106x62x31)
    1200
    200
    Half Bridge
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status
  • SKIM 93 (160x150x35)
    1200
    450
    Six Pack
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status
  • SEMiX 3p (150x62x17)
    1200
    600
    Half Bridge
    SiC Diode + IGBT 4 (Trench)
    Sample status
  • MiniSKiiP II 2 (59x52x16)
    1200
    50
    Six Pack
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status
  • MiniSKiiP II 3 (82x59x16)
    1200
    100
    Six Pack
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status
  • MiniSKiiP II 3 (82x59x16)
    1200
    150
    Six Pack
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status
  • SEMITOP 2 (41x28x12)
    1200
    25
    Single Switch
    IGBT 4 Fast (Trench)
    Sample status

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