碳化硅功率模块的 (SiC)

领先的芯片和封装技术,实现最大能效

下载

客户服务

联系我们

产品服务

产品咨询

碳化硅功率模块 – 10kW至350kW

赛米控碳化硅功率模块:结合行业标准封装和先进的封装技术。

碳化硅功率模块的关键特性

  • 更高的开关频率,够优化滤波元件并降低其成本
  • 冷却设备更紧凑,降低功率损耗,从而提升效率并降低系统成本和规模
  • 领先供应商提供的最新的碳化硅芯片
  • 标准工业封装,按照碳化硅的要求进行优化:电感,低热阻
  • 针对实际应用优化芯片组 

碳化硅功率模块的应用

  • 太阳能逆变器:升压电路和逆变器应用
  • 储能系统:大效率和低噪声
  • UPS:高效双转换系统
  • 电机驱动器:主动前端与电机侧(混合碳化硅)
  • 电源:牵引应用、感应加热等的助电源

领先的芯片和封装技术,实现最大能效

混合碳化硅模块:功率损耗降低50%,用简便

  • IGBT开关与碳化硅肖特基二极管相结合
  • 几乎没有二极管损耗,并显著减少IGBT开关损耗
  • 高速IGBT和碳化硅肖特基二极管使关损耗降低50%
  • 轻松实现成本优化的碳化硅解决方案:动器或系统无需进行重大设计变更,使用的碳化硅芯片面积小,能够限制成本 

参考:太阳能逆变器,储能系统,大功率汽车充电站,高效、高速电机驱动。

全碳化硅模块:无与伦比的效率和性能

  • 最大开关频率下带来极佳效率
  • 最新碳化硅MOSFET技术
  • 满足客户需求的优化芯片组
  • 带或不带碳化硅肖特基续流二极管

参考:太阳能逆变器,牵引辅助电源,运动和赛车

赛米控封装技术和领先的芯片供应商

  • 优化芯片封装,具有更小电感,便于快速开关
  • 由于使用赛米控封装技术,实现更小热阻
  • 客户定制芯片组,与客户的要求完全一致
  • 涵盖10–350kW大范围功率的全碳化硅和混合碳化硅模块
  • 一系列工业标准封装
  • 来自领先芯片供应商的碳化硅肖特基二极管和MOSFET  

碳化硅功率模块产品范围

我们的产品涵盖10kW至350kW功率范围,电压级别为1200V,提供七种不同封装。MiniSKiiP和SEMITOP为低功率模块,功率最高25kW,两者都不带铜底板。MiniSKiiP提供通过各种试验的SPRiNG技术,应用于全碳化硅三相全桥,带或不带碳化硅肖特基续流二极管。配合标准工业封装SEMITOP E1/E2,第一代和第二代SEMITOP模块可帮助实现最大的灵活性。

中高功率系列包括SEMITRANS 3、SKiM63/93和SEMiX 3Press-Fit,有混合和全碳化硅两种拓扑结构,额定芯片电流高达600A。SEMIPACK和SEMITOP封装的快速整流器模块中应用了采用SIC芯片的肖特基二极管。

全碳化硅功率模块

  • Products
  • View k j
Reset all filters Selected
Filter
  • Product Type
  • Product Line
  • VDS in V
  • ID in A
  • Switches
  • Product Status

Sorry, we were unable to find products that match your current set of filters and/or search.

混合碳化硅功率模块

  • Products
  • View k j
Reset all filters Selected
Filter
  • Product Type
  • Product Line
  • VCE in V
  • ICnom in A
  • Switches
  • Technology
  • Product Status

Sorry, we were unable to find products that match your current set of filters and/or search.

SEMITOP E1/E2 全碳化硅平台

SEMITOP E1/E2全碳化硅平台采用最新的第三代SiC MOSFET芯片,提供三相全桥、半桥和全桥三种拓扑

SEMITOP E2半桥拓扑模块有两种引脚设计:

  • Pin-out 1 满足客户芯片级的多供应商战略
  • Pin-out 2专为并联和简化PCB设计而优化

The SEMITOP E1/E2 SiC 功率模块具有较低的电阻(特定的Rds,on)温度系数,结合极低的模块封装热阻,展现了前所未有的性能。导通电阻Rds,on 温度系数低至0.1mΩ/K。

由于在设计阶段进行了全面的仿真,所有模块都为最高的开关频率而设计,性能出众,运行稳定。输入电容与米勒电容的高比值(ciss/crss)可防止寄生导通。

为并联和简化PCB设计而优化的引脚设计
SEMITOP E1 和 SEMITOP E2
SEMITOP 型号名称拓扑电流导通电阻
Rds,on (25°C)
封装引脚
SK40MD120CR03ETE1Sixpack40A32mΩSEMITOP E1Multiple Sourcing
SK40MH120CR03TE1H-Bridge40A32mΩSEMITOP E1Multiple Sourcing

SK80MH120CR03TE1

H-Bridge80A16mΩSEMITOP E1Multiple Sourcing
SK40MB120CR03TE1Half-Bridge40A32mΩSEMITOP E1Multiple Sourcing
SK80MB120CR03TE1Half-Bridge80A16mΩSEMITOP E1Multiple Sourcing
SK150MB120CR03TE2Half-Bridge150A8mΩSEMITOP E2Multiple Sourcing
SK200MB120CR03TE2Half-Bridge200A6.4mΩSEMITOP E2Multiple Sourcing
SK250MB120CR03TE2Half-Bridge250A5.3mΩSEMITOP E2Multiple Sourcing
SK250MB120CR03TE2V1Half-Bridge250A5.3mΩSEMITOP E2Optimized Paralleling