碳化硅功率模块 – 10kW至350kW
赛米控碳化硅功率模块：结合行业标准封装和先进的封装技术。
碳化硅功率模块的优点
赛米控的混合碳化硅和全碳化硅功率模块结合了成熟的工业标准功率模块和赛米控封装技术的优点。得益于多种封装优化，碳化硅的各种优点得以充分利用。
模块换向电感降低可以实现SiC MOSFET的全速开关。更高的开关速度可以转换成更高的开关频率，从而得到更小的磁性过滤器 元件。同时可以降低开关损耗，提高系统效率。精密的材料和封装技术可以将芯片与散热片之间的热阻减至更小，从而实现更高的功率密度。
碳化硅功率模块的关键特性
- 更高的开关频率，够优化滤波元件并降低其成本
- 冷却设备更紧凑，降低功率损耗，从而提升效率并降低系统成本和规模
- 领先供应商提供的最新的碳化硅芯片
- 标准工业封装，按照碳化硅的要求进行优化：电感，低热阻
- 针对实际应用优化芯片组
碳化硅功率模块的应用
- 太阳能逆变器：升压电路和逆变器应用
- 储能系统：大效率和低噪声
- UPS：高效双转换系统
- 电机驱动器：主动前端与电机侧（混合碳化硅）
- 电源：牵引应用、感应加热等的助电源
领先的芯片和封装技术，实现最大能效
混合碳化硅模块：功率损耗降低50%，用简便
- IGBT开关与碳化硅肖特基二极管相结合
- 几乎没有二极管损耗，并显著减少IGBT开关损耗
- 高速IGBT和碳化硅肖特基二极管使关损耗降低50%
- 轻松实现成本优化的碳化硅解决方案：动器或系统无需进行重大设计变更，使用的碳化硅芯片面积小，能够限制成本
参考：太阳能逆变器，储能系统，大功率汽车充电站，高效、高速电机驱动。
全碳化硅模块：无与伦比的效率和性能
- 最大开关频率下带来极佳效率
- 最新碳化硅MOSFET技术
- 满足客户需求的优化芯片组
- 带或不带碳化硅肖特基续流二极管
参考：太阳能逆变器，牵引辅助电源，运动和赛车
赛米控封装技术和领先的芯片供应商
- 优化芯片封装，具有更小电感，便于快速开关
- 由于使用赛米控封装技术，实现更小热阻
- 客户定制芯片组，与客户的要求完全一致
- 涵盖10–350kW大范围功率的全碳化硅和混合碳化硅模块
- 一系列工业标准封装
- 来自领先芯片供应商的碳化硅肖特基二极管和MOSFET
碳化硅功率模块产品范围
我们的产品涵盖10kW至350kW功率范围，电压级别为1200V，提供七种不同封装。MiniSKiiP和SEMITOP为低功率模块，功率最高25kW，两者都不带铜底板。MiniSKiiP提供通过各种试验的SPRiNG技术，应用于全碳化硅三相全桥，带或不带碳化硅肖特基续流二极管。配合标准工业封装SEMITOP E1/E2，第一代和第二代SEMITOP模块可帮助实现最大的灵活性。
中高功率系列包括SEMITRANS 3、SKiM63/93和SEMiX 3Press-Fit，有混合和全碳化硅两种拓扑结构，额定芯片电流高达600A。SEMIPACK和SEMITOP封装的快速整流器模块中应用了采用SIC芯片的肖特基二极管。
全碳化硅功率模块
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混合碳化硅功率模块
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