第7代IGBT

电力电子的新动力

最新一代IGBT芯片技术

第7代IGBT有650V、950V\1200V和1700V电压等级,代表了最新的IGBT芯片技术。

新的1200V IGBT是专门为满足电机驱动应用的要求而设计的。在赛米控丹佛斯,它们有两个供应商,即T7和M7。这两种IGBT都具有显著降低的正向压降,并提供优化的开关性能。由于在相同的标称电流下,芯片体积小了约25%,因此可以将更高的额定电流装入现有的电源模块封装中。此外,所有第7代IGBT都具有改进的湿度鲁棒性,进一步提高了恶劣环境条件下的可靠性。

在应用中,1200V IGBT第7代可降低功率损耗或提高最大输出功率和功率密度,从而转化为更低的系统成本。在电机驱动方面,第7代IGBT也应用于传统的驱动拓扑结构中。CIB(转换器-逆变器-制动器)、三相全桥和半桥的拓扑结构。对于中低功率驱动,MiniSKiiP和SEMITOP E1/E2的IGBT T7是首选。对于中功率等级,IGBT M7可用于SEMiX 3 Press-Fit和SEMiX 6 Press-Fit。对于高功率等级,使用M7芯片的SEMITRANS 10应用于三电平 split-NPC 拓扑。更多的功率模块将陆续推出。

950V IGBT 7是专门为光伏应用设计的,有两种不同的芯片特性,S7和L7。S7表现出最低的开关损耗,而L7芯片则是为极低的正向压降而设计的。这两款芯片都能与复杂的三电平拓扑结构(如ANPC(主动中性点箝位))完美结合。有了这两款芯片,它们可以服务于直流母线电压高达1500V的太阳能和储能系统应用。

适用于中低功率驱动,光伏和储能的应用

MiniSKiiP®

无焊料弹簧技术,缩短装配时间

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SEMITOP® E1/E2

超越标准的卓越性能

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适用于中高功率等级的电机驱动

SEMiX® 3 Press-Fit

超过标准的优越性能和全电机驱动解决方案
如整流器,刹车、斩波和半桥拓扑

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SEMiX® 6 Press-Fit

完整的压接标准

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产品技术规格/特性

  • 来自两个不同供应商的最新一代IGBT
  • 1200V IGBT优化了电机驱动应用
  • 在短时过载中允许更高的工作结温
  • 降低饱和电压和芯片尺寸
  • 同一功率模块的封装尺寸实现更大额定电流
  • 输出功率可提高20%
  • 降低系统总成本
  • 950V IGBT经过优化,适用于光伏和储能应用,三电平拓扑结构,最高电压为1500VDC