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SiC モジュール – 10kW~ 350MW

SEMIKRON SiC パワーモジュール: 産業標準パッケージと 高度なパッケージ技術の結合

SiCパワモジュール 利点

セミクロンのハイブリッドおよびフルSiC パワーモジュールは、実 績ある産業標準パワーモジュールとセミクロンパッケージ技術の組 み合わせでできています。多様なパッケージ設計の最適化により、 SiC の利点を十分に発揮できます。

モジュールの低インダクタンスにより最高速度でSiC MOSFET のス イッチングが実現します。高いスイッチング速度は高いスイッチン グ周波数への変換が可能で、結果として磁気フィルタの部品を小さ くできます。同時にスイッチング損失も小さくなるため、システム 効率が向上します。 高度な材料およびパッケージ技術によりヒートシンク- チップ間の 熱抵抗を最小化し、高い出力密度を実現します。

SiCパワーモジュール 主な特長

  • スイッチング周波数増大による、フィルター部品の最適化およびコストダウン
  • 電力損失低減による効率の向上、コンパクトな冷却装置によるシステムコスト削減、小型化
  • トップサプライヤー提供の最新SiC チップ
  • 産業用標準パッケージ、SiC の低インダクタンス、低熱抵抗の要件に最適化
  • お客様のアプリケーション用に最適化されたチップセット



SiCパワーモジュール 用途

  • ソーラーインバータ:ブースターおよびインバータアプリケーション
  • エネルギー貯蔵システム:最高の効率と低い可聴ノイズ
  • UPS:高効率ダブルコンバージョンシステム
  • モータードライブ:アクティブフロントエンドおよびモーターサイド(ハイブリッドSiC)
  • 電源:電鉄車両用補助電源や誘導加熱など

最先端チップとパッケージ技術による高エネルギー効率

ハイブリッドSiC モジュール:電力損失半減、実装が容易

  • IGBT スイッチとSiC ショットキーダイオードの組み合わせ
  • ダイオードの損失がほぼなくIGBT のターンオン損失も大幅低減
  • 高速IGBT とSiC ショットキーダイオードによりスイッチング損失が半減
  • 実装が容易な、コストを最適化したSiC ソリューション:ドライバーおよびシステム設計の変更が不要で、コスト発生は小さなチップエリアのみ

参考例:ソーラーインバータ、エネルギー貯蔵システム、電気自動車用大電力充電ステーション、高効率高速モータドライブ

フルSiC パワーモジュール:優れた効率と特性

  • 最大スイッチング周波数での卓越した効率
  • 最新のSiC MOSFET 技術
  • お客様の要件に合わせて最適化されたチップセット
  • フリーホイールダイオード(SiC ショットキー有り無し)

参考例:ソーラーインバータ、電鉄車両用途補助電源、スポーツカーおよびレーシングカー

セミクロンのパッケージ技術と最先端チップサプライヤー

  • 最小インダクタンスの最適化チップパッケージによる、高速スイッチング
  • セミクロンパッケージ技術の使用により熱抵抗を最小化
  • お客様の要件に完全対応したカスタム仕様のチップセット
  • 10 ~ 350kW の幅広い出力範囲、フル/ ハイブリッドSiCモジュール
  • 産業標準パッケージの全てをカバー
  • 最先端のチップサプライヤーが提供するSiC ショットキーダイオードおよびMOSFET

 

 

SiCパワーモジュール 製品ラインアップ

セミクロンの製品は、出力範囲10kW ~ 350kW、1200V で、7 つ のパッケージがあります。MiniSKiiP およびSEMITOP は25kW まで の低出力範囲に対応し、両方ともベースプレートなしです。MiniSKiiP は、実績のあるSPRiNG 技術、SiC ショットキーフリーホイールダ イオードあり/ なしのフルSiC 6 パックを搭載しています。第1 世代 および第2 世代SEMITOP モジュールは、産業標準パッケージSEMITOP E1/E2 との組み合わせにより、最大のカスタム対応を実現しま す。

中電力および大電力にはSEMITRANS 3、SKiM63/93、SEMiX 3 プ レスフィットが適し、チップ定格電流最大600A のハイブリッドお よびフルSiC 回路で構成されています。SEMIPACK およびSEMITOP パッケージではSiC ショットキーダイオードを採用した高速整流器モ ジュールもご利用いただけます。

フルSiCモジュール

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ハイブリッドSiCモジュール

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