SiCパワーモジュール

最高のエネルギー効率を可能にする最先端チップおよびパッケージ技術

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SiCモジュール-10kW~350kW

SEMIKRON SiCパワーモジュール:産業標準パッケージ外形と高度なパッケージ技術および最新のSiCチップの結合

SiCパワーモジュール利点

セミクロンのハイブリッドおよびフルSiCモジュールは、実績のある産業標準パワーモジュールとセミクロンパッケージ技術の組み合わせでできています。多様なパッケージ技術の最適化により、SiCの利点の全てを十分に引き出すことができます。

モジュールのインダクタンスが低い事により、SiC MOSFETの超高速スイッチングを実現します。高速スイッチングは高いスイッチング周波数への変換が可能で、結果として磁気フィルター部品を小型化できます。。同時にスイッチング損失が減少しシステム効率が向上します。高度な材料およびパッケージ技術により、ヒートシンク-チップ間の熱抵抗を最小化し、高い出力密度を実現します。

SiCパワーモジュール 主な特長

  • スイッチング周波数増大による、フィルター部品の最適化およびコスト削減
  • 電力損失低減による効率の向上、およびコンパクトな冷却装置によるシステムコスト削減、小型化
  • トップサプライヤー供給のSiCチップセット
  • 産業標準パッケージ、SiCの低インダクタンス/低熱抵抗の要件に最適化
  • お客様のアプリケーション用に最適化されたチップセット



SiCパワーモジュール 用途

  • ソーラーインバータ:ANPCおよびフライングキャパシターを含む3レベル回路構成を使用したブースター、およびインバータ
  • 蓄電システム:2レベルおよび3レベル回路(インバータ/コンバータ)
  • UPS:ダブルコンバージョンシステム
  • インバータ:回生インバータ電源等:電鉄車両用補助電源、誘導加熱装置

最先端チップとパッケージ技術による高エネルギー効率

ハイブリッドSiCモジュール:電力損失半減、スムーズな導入

  • IGBTスイッチとSiCショットキーフリーホイールダイオードの組み合わせ
  • ダイオードのスイッチング損失がほぼなく、IGBTのターンオン損失も大幅に低減
  • 高速IGBTとSiCショットキーダイオードの組み合わせにより、スイッチング損失が半減
  • トータルシステムコスト削減の最適ソリューション:
  • ドライバーおよびシステム設計の変更が不要;ドライバーおよびシステム設計の変更が不要;、コストパフォーマンスに優れたSiCショットキーダイオードチップ、高効率、高スイッチング周波数

応用例:ソーラーインバータ、蓄電システム、電気自動車用大電力充電ステーション、高効率高速インバータ

フルSiCモジュール:優れた効率と特性

  • 最大スイッチング周波数での卓越した効率.
    • 最新のSiC MOSFET技術
    • お客様の要件に対応した最適化チップセット
    • SiCショットキーフリーホイールダイオードあり、なし

応用例:ソーラーインバータ、電鉄車両用補助電源、スポーツカーおよびレーシングカー

セミクロンのパッケージ技術とトップサプライヤー供給のチップ

  • 最小インダクタンスの最適化パワーモジュールによる、高速スイッチング
  • 高度なパッケージ技術により、熱抵抗を最小化
  • お客様の要件に完全に対応したカスタム仕様のチップセット
  • 10~350kWの幅広い出力範囲、フル/ハイブリッドSiCモジュール
  • 産業標準パッケージのほぼ全てをカバー
  • トップサプライヤー供給のSiCショットキーダイオードおよびMOSFETチップ

SiCパワーモジュール製品ラインアップ

セミクロンの製品は、出力範囲10kW~350kW、1200Vで7種類のパッケージがあります。MiniSKiiPおよびSEMTOPは最大25kWまでの低出力範囲に対応し、ベースプレートなしです。MiniSKiiPは実績のあるスプリング技術を使用したハイブリッドSiC 6in1です。第1および第2世代SEMITOPモジュールは、産業標準パッケージSEMITOP E1/E2との組み合わせにより、多様なカスタム対応が可能です。

中・大電力出力範囲はSEMITRANS3、SKiM63/93、SEMiX Press-Fitが適応し、最大定格電流600Aまでのハイブリッド/フルSiCチップが搭載されています。SEMIPACKおよびSEMITOPパッケージでは、SiCショットキーダイオードを搭載した高速整流モジュールもあります。

フルSiCモジュール

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ハイブリッドSiCモジュール

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SEMITOP E1/E2フルSiCラインアップ

SEMITOP E1/E2フルSiCラインアップは、最新のSiC MOSFET (第3世代)で3種類の回路構成:6in1、2in1、4in1があります。

SEMITOP E2 2in1は2つのピン配列があります。

  • ピン配列1は他社互換で、チップはマルチソースです。
  • ピン配列2はPCB設計、パワーモジュールの並列接続が容易になるように最適化されています。 

SEMITOP E1/E2 SiCはオン抵抗(Rds,on)温度係数が低く、モジュールパッケージの低熱抵抗との組み合わせにより、最大の性能をもたらします。Rds,on温度係数は0.1mΩ/Kです。

全てのモジュールは低インダクタンスにより、高速スイッチング時にも高性能および安定動作を示す様に設計されています。

並列接続および容易なPCB設計用ピン配列
SEMITOP E1およびSEMITOP E2
SEMITOP 形名回路構成 定格電流Rds,on (25°C)
パッケージ
ピン配列
SK40MD120CR03ETE1

Sixpack 6in1

40A32mΩSEMITOP E1他社互換品
SK40MH120CR03TE1H-Bridge 2in140A32mΩSEMITOP E1他社互換品

SK80MH120CR03TE1

H-Bridge 2in180A16mΩSEMITOP E1他社互換品
SK40MB120CR03TE1Half-Bridge 2in140A32mΩSEMITOP E1他社互換品
SK80MB120CR03TE1Half-Bridge 2in180A16mΩSEMITOP E1他社互換品
SK150MB120CR03TE2Half-Bridge 2in1150A8mΩSEMITOP E2他社互換品
SK200MB120CR03TE2Half-Bridge 2in1200A6.4mΩSEMITOP E2他社互換品
SK250MB120CR03TE2Half-Bridge 2in1250A5.3mΩSEMITOP E2他社互換品
SK250MB120CR03TE2V1Half-Bridge 2in1250A5.3mΩSEMITOP E2並列接続最適化