SiCパワーモジュール

SiC モジュール – 10kW － 350kW

多様な接続技術、幅広い出力および高効率がセミクロンSiCパワーモジュールの特長です。ハイブリッドおよびフルSiCモジュールラインアップはいずれも7種類のパッケージがあります。パッケージは低インダクタンスで最適化され、独自の特長を有しています。

SiCパワモジュール 利点

セミクロンハイブリッドSiCパワーモジュールは、最新のIGBT技術とSiCショットキーダイオードを組み合わせることで電力損失の低減、およびスイッチング周波数の増大を容易にするソリューションです。99%を超える効率、最少電力損失、および最大出力/電力密度の実現には、SiC MOSFETを搭載したフルSiCモジュールの使用が不可欠です。 MOSFETのボディーダイオードにより外部の逆並列ダイオードは不要ですが、効率をさらに向上させるには有用です。当社は、実績あるセミクロン品質/信頼性標準に準拠した試験済の、トップサプライヤーによるSiCチップを搭載したパワーモジュールをご提供します

SiCパワーモジュール 主な特長

• スイッチング周波数増大によるフィルター部品の最適化およびコストダウン
• 電力損失低減による効率の向上、およびコンパクトな冷却装置によるシステムコスト削減、小型化
• トップサプライヤー提供の最新SiCチップ
• お客様のアプリケーション用に最適化されたチップセットを使用した、様々なパッケージと接続技術
• 産業標準パッケージ

SiCパワーモジュール 用途

SiCパワーモジュールは技術的、商業的にシステムに利益をもたらす理想的な技術です。スイッチング周波数の増大により、ブースター用途のチョークや電源、UPS、あるいはソーラーインバータの負荷側フィルターといったフィルター部品を大幅に削減します。さらに電力損失も減少され、コンポーネントの冷却システムでは冷却ファン電力の節減やヒートシンクの小型化が可能で、従来の強制冷却から対流冷却への移行にもつながります。最終的にシステム全体の効率を最大化させ、最先端電力変換システムの要求を満たします。

トップサプライヤーからのSiCチップをセミクロンパッケージに搭載

• はんだ又はシンター接続のチップ搭載による、高温動作および高信頼性
• はんだ又ははんだフリー（スプリング/プレスフィット）PCB組付け
• 様々な産業標準パッケージによる幅広い出力
• 低インダクタンス用に最適化されたパワーモジュール
• ベースプレートあり/なしモジュール
• カスタム仕様ソリューション
• アプリケーションサンプルおよびゲートドライバーを完備、実装および立ち上げが容易