SiCパワーモジュール

SiC モジュール – 10kW～ 350MW

SEMIKRON SiC パワーモジュール： 産業標準パッケージと高度なパッケージ技術の結合

SiCパワモジュール 利点

セミクロンのハイブリッドおよびフルSiC パワーモジュールは、実績ある産業標準パワーモジュールとセミクロンパッケージ技術の組み合わせでできています。多様なパッケージ設計の最適化により、シリコンカーバイドの利点を十分に発揮できます。

低モジュール転流インダクタンスによりSiC MOSFET の最高速度でのスイッチングが実現します。 高いスイッチング速度は高いスイッチング周波数への変換が可能で、結果としてマグネットフィルタの部品を小さくできます。同時にスイッチング損失も小さくなるため、システム効率が向上します。高度な材質およびパッケージ技術によりヒートシンクに対するチップの熱抵抗を最小化し、高い出力密度を実現します。

SiCパワーモジュール 主な特長

• スイッチング周波数増大によりフィルター部品の最適化およびコストダウン
  
• 電力損失低減による効率の向上、コンパクトな冷却装置によるシステムコスト削減、小型化
  
• トップサプライヤー提供の最新SiCチップ
  
• 産業標準パッケージ、SiC低インダクタンス要件に最適化、低い熱抵抗
  
• お客様のアプリケーション用に最適化されたチップセット

SiCパワーモジュール 用途

• ソーラーインバータ：ブースターおよびインバータ用途
  
• エネルギー貯蔵システム：高い効率と低い可聴ノイズ
  
• UPS：高効率ダブルコンバージョンシステム
  
• モータードライブ：アクティブフロントエンドおよびモーターサイド（ハイブリッドSiC）
  
• 電源：加熱などの電鉄車両用途の補助供給

セミクロンのパッケージ技術と最先端チップによる利点

• 最小インダクタンスの最適化チップパッケージが高速スイッチングに貢献
  
• セミクロンパッケージ技術の使用により熱抵抗を最小化
  
• お客様の要件に完全対応したカスタム仕様のチップセットを提供
  
• 10 ～ 350kW の幅広い出力範囲、フル/ ハイブリッドSiCモジュール
  
• 産業規格パッケージの全てをカバー
  
• 最先端のチップサプライヤーが提供するSiC ショットキーダイオード