SiCパワーモジュール

SiCパワモジュール 利点

セミクロンのハイブリッドおよびフルSiC パワーモジュールは、実 績ある産業標準パワーモジュールとセミクロンパッケージ技術の組 み合わせでできています。多様なパッケージ設計の最適化により、 SiC の利点を十分に発揮できます。

モジュールの低インダクタンスにより最高速度でSiC MOSFET のス イッチングが実現します。高いスイッチング速度は高いスイッチン グ周波数への変換が可能で、結果として磁気フィルタの部品を小さ くできます。同時にスイッチング損失も小さくなるため、システム 効率が向上します。 高度な材料およびパッケージ技術によりヒートシンク- チップ間の 熱抵抗を最小化し、高い出力密度を実現します。

ハイブリッドSiC モジュール：電力損失半減、実装が容易

• IGBT スイッチとSiC ショットキーダイオードの組み合わせ
• ダイオードの損失がほぼなくIGBT のターンオン損失も大幅低減
• 高速IGBT とSiC ショットキーダイオードによりスイッチング損失が半減
• 実装が容易な、コストを最適化したSiC ソリューション：ドライバーおよびシステム設計の変更が不要で、コスト発生は小さなチップエリアのみ

参考例：ソーラーインバータ、エネルギー貯蔵システム、電気自動車用大電力充電ステーション、高効率高速モータドライブ

フルSiC パワーモジュール：優れた効率と特性

• 最大スイッチング周波数での卓越した効率
• 最新のSiC MOSFET 技術
• お客様の要件に合わせて最適化されたチップセット
• フリーホイールダイオード（SiC ショットキー有り無し）

参考例：ソーラーインバータ、電鉄車両用途補助電源、スポーツカーおよびレーシングカー