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SiC Module – 10 kW bis zu 350 kW

Siliziumkarbid-Leistungsmodule von SEMIKRON: Standard-Industrie-Gehäusen kombiniert mit optimierten Gehäusetechnologien.

Vorteile der Siliziumkarbid-Leistungsmodule

Hybrid- und Voll-SiC-Leistungsmodule von SEMIKRON kombinieren Vorteile von bewährten Industriestandard-Leistungsmodulen mit den Gehäusetechnologien von SEMIKRON. Dank verschiedener Gehäuseoptimierungen können alle Vorteile von Siliziumkarbid voll ausgeschöpft werden.

Eine geringe Kommutierungsinduktivität des Moduls ermöglicht das Schalten von SiC-MOSFETs mit maximaler Geschwindigkeit. Die höheren Schaltgeschwindigkeiten können in höhere Schaltfrequenzen umgewandelt werden, was wiederum den Einsatz kleinerer Filterkomponenten ermöglicht. Gleichzeitig können die Schaltverluste reduziert und der Systemwirkungsgrad erhöht werden. Modernste Materialien und Gehäusetechnologien minimieren den thermischen Widerstand des Chips zum Kühlkörper und ermöglichen somit höhere Leistungsdichten.

Hauptmerkmale der Siliziumkarbid-Leistungsmodule

  • Höhere Schaltfrequenzen ermöglichen die Optimierung von Filterkomponenten und damit Kostensenkungen
  • Reduzierte Leistungsverluste führen durch geringeren Kühlaufwand zu einem höheren Wirkungsgrad und zu geringeren Systemkosten und -größen
  • Neueste SiC-Chips der führenden Anbieter
  • Standardindustriegehäuse, optimiert für SiC-Anforderungen: geringe Induktivität, geringer thermischer Widerstand
  • Optimierte Chipsets für Ihre Anwendung

Anwendungen der Siliziumkarbid-Leistungsmodule

  • Solar-Wechselrichter: Booster- und Wechselrichteranwendungen
  • Energiespeichersysteme: maximaler Wirkungsgrad und geringe Geräuschentwicklung
  • USV: hocheffiziente Online-USV-Systeme
  • Motorantriebe: Aktive-Front-End und Motorinverter (Hybrid-SiC)
  • Stromversorgung: Hilfsbetriebeumrichter in Bahnanwendungen, Induktionserwärmung, etc.

Führende Chip- und Gehäusetechnologie für höchste Energieeffizienz

Hybride SiC-Module: 50 % weniger Verlustleistung und einfache Implementierung

  • Kombination von IGBT-Schaltern mit Siliziumkarbid-Schottky-Dioden
  • Praktisch keine Diodenverluste sowie erhebliche Reduzierung der IGBT-Einschaltverluste
  • Schnellschaltende IGBTs und SiC-Schottky-Dioden führen zu 50 % weniger Schaltverlusten
  • Einfache Implementierung einer kostenoptimierten SiC-Lösung: keine wesentliche Änderung an Treiber oder Systemdesign erforderlich, kleine SiC-Chipfläche begrenzt die Kosten

Referenzanwendungen: Solarwechselrichter, Energiespeichersysteme, Hochleistungs-Ladestationen für Elektrofahrzeuge, hocheffiziente und schnelle Motorantriebe.

      Voll-SiC-Module: Unübertroffener Wirkungsgrad und Leistung

      • Voll-SiC-Module: Unübertroffener Wirkungsgrad und Leistung
      • >99 % Wirkungsgrad bei maximaler Schaltfrequenz
      • Neueste Siliziumkarbid-Trench-MOSFET-Technologie#
      • Optimierte Chipsätze nach Kundenwunsch
      • Mit oder ohne SiC-Schottky-Freilaufdiode

      Referenzanwendungen: Solarwechselrichter, Hilfsbetriebeumrichter in Bahnanwendungen, Sport- und Rennwagen

        SEMIKRON Gehäusetechnologien und führende Chip-Lieferanten

        • Optimierte Gehäuse mit minimaler Induktivität für schnelles Schalten
        • Minimaler thermischer Widerstand durch den Einsatz von SEMIKRON-Gehäusetechnologien
        • Kundenspezifische Chipsets, die perfekt auf die Kundenanforderungen abgestimmt sind
        • Voll-SiC- und Hybrid-Module mit breitem Leistungsspektrum von 10 kW bis zu 350 kW
        • Breite Palette von Standard-Industrie-Gehäusen
        • SiC-Schottky-Dioden und MOSFETs von führenden Chip-Lieferanten

        Siliziumkarbid-Leistungsmodule Produktspektrum

        Unsere Produkte decken einen Leistungsbereich von 10 kW bis 350 kW bei 1200 V ab und sind in sieben verschiedenen Gehäusen erhältlich. MiniSKiiP und SEMITOP sind die Leistungsmodule im unteren Bereich bis 25 kW, beide ohne Bodenplatte. Der MiniSKiiP ist mit seiner bewährten SPRiNG-Technologie als Voll-SiC-6-Pack mit oder ohne SiC-Schottky-Freilaufdioden erhältlich. Die erste und zweite Generation der SEMITOP Module tragen in Kombination mit dem Standard-Industrie-Gehäuse SEMITOP E1/E2 zu einer maximalen Flexibilität bei.

        SEMITRANS 3, SKiM63/93 und SEMiX 3 Press-Fit decken den Mittel- und Hochleistungsbereich ab und sind als Hybrid- und Voll-SiC-Topologien für bis zu 600 A Chip-Nennstrom erhältlich. Schnelle Gleichrichtermodule mit SiC-Schottky-Dioden sind auch in SEMIPACK- und SEMITOP-Gehäusen erhältlich.

        Voll-SiC-Module

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        • MiniSKiiP II 1 (42x40x16)
          1200
          25
          Six Pack
          Sample status
        • MiniSKiiP II 1 (42x40x16)
          1200
          25
          Six Pack
          Sample status
        • MiniSKiiP II 2 (59x52x16)
          1200
          72
          Six Pack
          Sample status
        • SEMITOP 3 Press-Fit (31x55x12)
          1200
          39
          Six Pack
          In production new
        • SEMITOP 3 Press-Fit (31x55x12)
          1200
          39
          Single Switch
          Sample status
        • SEMITOP 2 Press-Fit (28x40.5x12)
          1200
          26
          H-Bridge
          Sample status
        • SEMITOP 2 Press-Fit (28x40.5x12)
          1200
          40
          H-Bridge
          Sample status
        • SEMITOP 2 Press-Fit (28x40.5x12)
          1200
          18
          H-Bridge
          Sample status
        • SEMITOP 2 Press-Fit (28x40.5x12)
          1200
          36
          Customer Specific
          Sample status
        • SEMITRANS 3 (106x62x31)
          1200
          541
          Half Bridge
          Sample status
        • SEMITRANS 3 (106x62x31)
          1200
          523
          Half Bridge
          Sample status
        • SEMITRANS 3 (106x62x31)
          1200
          523
          Half Bridge
          Sample status
        • SEMIPACK 2 (94x34x30)
          1200
          64
          Single Switch
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        Hybrid-SiC-Module

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        • SEMITRANS 3 (106x62x31)
          1200
          200
          Half Bridge
          SiC Diode + IGBT 4 (Trench)
          Sample status
        • SEMITRANS 3 (106x62x31)
          1200
          200
          Half Bridge
          SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
          Sample status
        • SEMITRANS 3 (106x62x31)
          1200
          200
          Half Bridge
          SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
          Sample status
        • SKIM 93 (160x150x35)
          1200
          450
          Six Pack
          SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
          Sample status
        • SEMiX 3p (150x62x17)
          1200
          600
          Half Bridge
          SiC Diode + IGBT 4 (Trench)
          Sample status
        • MiniSKiiP II 2 (59x52x16)
          1200
          50
          Six Pack
          SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
          Sample status
        • MiniSKiiP II 3 (82x59x16)
          1200
          100
          Six Pack
          SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
          Sample status
        • MiniSKiiP II 3 (82x59x16)
          1200
          150
          Six Pack
          SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
          Sample status
        • MiniSKiiP II 3 (82x59x16)
          1200
          300
          Half Bridge
          IGBT 4 Fast (Trench)
          Sample status
        • SEMITOP 2 (41x28x12)
          1200
          25
          Single Switch
          IGBT 4 Fast (Trench)
          Sample status
        • SEMITOP 2 (41x28x12)
          1200
          50
          Customer Specific
          IGBT 4 Fast (Trench)
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