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SiC Module – 10 kW bis zu 350 kW
Siliziumkarbid-Leistungsmodule von SEMIKRON: Standard-Industrie-Gehäusen kombiniert mit optimierten Gehäusetechnologien.
Vorteile der Siliziumkarbid-Leistungsmodule
Hybrid- und Voll-SiC-Leistungsmodule von SEMIKRON kombinieren Vorteile von bewährten Industriestandard-Leistungsmodulen mit den Gehäusetechnologien von SEMIKRON. Dank verschiedener Gehäuseoptimierungen können alle Vorteile von Siliziumkarbid voll ausgeschöpft werden.
Eine geringe Kommutierungsinduktivität des Moduls ermöglicht das Schalten von SiC-MOSFETs mit maximaler Geschwindigkeit. Die höheren Schaltgeschwindigkeiten können in höhere Schaltfrequenzen umgewandelt werden, was wiederum den Einsatz kleinerer Filterkomponenten ermöglicht. Gleichzeitig können die Schaltverluste reduziert und der Systemwirkungsgrad erhöht werden. Modernste Materialien und Gehäusetechnologien minimieren den thermischen Widerstand des Chips zum Kühlkörper und ermöglichen somit höhere Leistungsdichten.
Hauptmerkmale der Siliziumkarbid-Leistungsmodule
- Höhere Schaltfrequenzen ermöglichen die Optimierung von Filterkomponenten und damit Kostensenkungen
- Reduzierte Leistungsverluste führen durch geringeren Kühlaufwand zu einem höheren Wirkungsgrad und zu geringeren Systemkosten und -größen
- Neueste SiC-Chips der führenden Anbieter
- Standardindustriegehäuse, optimiert für SiC-Anforderungen: geringe Induktivität, geringer thermischer Widerstand
- Optimierte Chipsets für Ihre Anwendung
Anwendungen der Siliziumkarbid-Leistungsmodule
- Solar-Wechselrichter: Booster- und Wechselrichteranwendungen
- Energiespeichersysteme: maximaler Wirkungsgrad und geringe Geräuschentwicklung
- USV: hocheffiziente Online-USV-Systeme
- Motorantriebe: Aktive-Front-End und Motorinverter (Hybrid-SiC)
- Stromversorgung: Hilfsbetriebeumrichter in Bahnanwendungen, Induktionserwärmung, etc.
Führende Chip- und Gehäusetechnologie für höchste Energieeffizienz
Hybride SiC-Module: 50 % weniger Verlustleistung und einfache Implementierung
- Kombination von IGBT-Schaltern mit Siliziumkarbid-Schottky-Dioden
- Praktisch keine Diodenverluste sowie erhebliche Reduzierung der IGBT-Einschaltverluste
- Schnellschaltende IGBTs und SiC-Schottky-Dioden führen zu 50 % weniger Schaltverlusten
- Einfache Implementierung einer kostenoptimierten SiC-Lösung: keine wesentliche Änderung an Treiber oder Systemdesign erforderlich, kleine SiC-Chipfläche begrenzt die Kosten
Referenzanwendungen: Solarwechselrichter, Energiespeichersysteme, Hochleistungs-Ladestationen für Elektrofahrzeuge, hocheffiziente und schnelle Motorantriebe.
Voll-SiC-Module: Unübertroffener Wirkungsgrad und Leistung
- Voll-SiC-Module: Unübertroffener Wirkungsgrad und Leistung
- >99 % Wirkungsgrad bei maximaler Schaltfrequenz
- Neueste Siliziumkarbid-Trench-MOSFET-Technologie#
- Optimierte Chipsätze nach Kundenwunsch
- Mit oder ohne SiC-Schottky-Freilaufdiode
Referenzanwendungen: Solarwechselrichter, Hilfsbetriebeumrichter in Bahnanwendungen, Sport- und Rennwagen
SEMIKRON Gehäusetechnologien und führende Chip-Lieferanten
- Optimierte Gehäuse mit minimaler Induktivität für schnelles Schalten
- Minimaler thermischer Widerstand durch den Einsatz von SEMIKRON-Gehäusetechnologien
- Kundenspezifische Chipsets, die perfekt auf die Kundenanforderungen abgestimmt sind
- Voll-SiC- und Hybrid-Module mit breitem Leistungsspektrum von 10 kW bis zu 350 kW
- Breite Palette von Standard-Industrie-Gehäusen
- SiC-Schottky-Dioden und MOSFETs von führenden Chip-Lieferanten
Siliziumkarbid-Leistungsmodule Produktspektrum
Unsere Produkte decken einen Leistungsbereich von 10 kW bis 350 kW bei 1200 V ab und sind in sieben verschiedenen Gehäusen erhältlich. MiniSKiiP und SEMITOP sind die Leistungsmodule im unteren Bereich bis 25 kW, beide ohne Bodenplatte. Der MiniSKiiP ist mit seiner bewährten SPRiNG-Technologie als Voll-SiC-6-Pack mit oder ohne SiC-Schottky-Freilaufdioden erhältlich. Die erste und zweite Generation der SEMITOP Module tragen in Kombination mit dem Standard-Industrie-Gehäuse SEMITOP E1/E2 zu einer maximalen Flexibilität bei.
SEMITRANS 3, SKiM63/93 und SEMiX 3 Press-Fit decken den Mittel- und Hochleistungsbereich ab und sind als Hybrid- und Voll-SiC-Topologien für bis zu 600 A Chip-Nennstrom erhältlich. Schnelle Gleichrichtermodule mit SiC-Schottky-Dioden sind auch in SEMIPACK- und SEMITOP-Gehäusen erhältlich.
Voll-SiC-Module
Filter
- Product Type
- Product Line
- VDS in V
- ID in A
- Switches
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Hybrid-SiC-Module
Filter
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- Product Line
- VCE in V
- ICnom in A
- Switches
- Technology
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