Siliziumkarbid-Leistungsmodule
Führende Chip- und Gehäusetechnologie für höchste Energieeffizienz
SiC Module – 10 kW bis zu 350 kW
Siliziumkarbid-Leistungsmodule von SEMIKRON: Standardindustriegehäuse kombiniert mit optimierten Gehäusetechnologien und den neuesten SiC-Chips
Vorteile der Siliziumkarbid-Leistungsmodule
Hybrid-SiC und SiC-MOSFET-Leistungsmodule von SEMIKRON kombinieren Vorteile von bewährten Industriestandard-Modulen mit den Gehäusetechnologien von SEMIKRON. Dank verschiedener Gehäuseoptimierungen können alle Vorteile von Siliziumkarbid voll ausgeschöpft werden.
Eine geringe Kommutierungsinduktivität des Moduls ermöglicht das Schalten von SiC-MOSFETs mit maximaler Geschwindigkeit. Somit können höhere Schaltfrequenzen erreicht werden, was wiederum den Einsatz kleinerer Filterkomponenten ermöglicht. Gleichzeitig können Schaltverluste reduziert und der Systemwirkungsgrad erhöht werden. Modernste Materialien und Gehäusetechnologien minimieren den thermischen Widerstand des Chips zum Kühlkörper und ermöglichen somit höhere Leistungsdichten.
Hauptmerkmale der Siliziumkarbid-Leistungsmodule
- Höhere Schaltfrequenzen ermöglichen die Optimierung von Filterkomponenten und damit damit Kostensenkungen
- Geringere Schaltverluste erhöhen die Effizienz und senken die Systemkosten und –größe dank kompakterer Kühlung
- Neueste SiC-Chips der führenden Anbieter
- Standardindustrie-Module, optimiert für SiC-Anforderungen: geringe Induktivität, geringer thermischer Widerstand
- Optimierte Chipsets für Ihre Anwendung
Anwendungen der Siliziumkarbid-Leistungsmodule
- Solarwechselrichter: Höchste Effizienz bei Booster- und Wechselrichteranwendungen mit 3-Level-Topologien, inkl. ANPC und „Flying Capacitor“ Booster
- Energiespeichersysteme: maximaler Wirkungsgrad in 2- und 3-Level-Topologien
- USV: hocheffiziente Online-USV-Systeme
- Motorantriebe: Rückspeisefähige Umrichter (Active Front End) und High-Spped-Motorumrichter (Hybrid-SiC)
- Stromversorgung: Hilfsbetriebeumrichter in Bahnanwendungen, Induktionserwärmung etc.
Führende Chip- und Gehäusetechnologie für höchste Energieeffizienz
Hybride SiC-Module: 50 % weniger Verlustleistung und einfache Implementierung
- Kombination von IGBT-Schaltern mit Siliziumkarbid-Schottky-Dioden
- Praktisch keine Diodenschaltverluste und deutlich reduzierte IGBT-Einschaltverluste
- Komibination aus schnellschaltenden IGBTs und SiC-Schottky-Dioden führen zu 50 % geringeren Schaltverlusten
- Einfache Implementierung einer kostenoptimierten SiC-Lösung:
Keine gravierende Änderung des Treiber oder Systemdesigns erforderlich, kleine SiC-Chip-Fläche begrenzt die zusätzlichen Kosten, erhöhter Wirkungsgrad und erhöhte Schaltfrequenz
Referenzanwendungen: Solarwechselrichter, Energiespeichersysteme, Hochleistungs- Ladestationen für Elektrofahrzeuge, hocheffiziente und schnelle Motorantriebe
SiC-MOSFET-Module: Unübertroffener Wirkungsgrad und Performance
- Ausgezeichneter Wirkungsgrad bei maximaler Schaltfrequenz
- Neueste Siliziumkarbid- MOSFET-Technologie
- Optimierte Chipsätze nach Kundenanforderung
- Mit oder ohne SiC-Schottky-Freilaufdiode
Referenzanwendungen: Solarwechselrichter, Hilfsbetriebeumrichter in Bahnanwendungen, Sport- und Rennwagen
SEMIKRON Gehäusetechnologien und führende Chip-Lieferanten
- Optimierte Leistungsmodule mit geringer Induktivität für schnelles Schalten
- Minimaler Wärmewiderstand dank des Einsatzes hochentwickelter Verpackungstechnologien
- Anwendungsspezifische Chipsätze, die perfekt auf die Kundenanforderungen abgestimmt sind
- Großer Leistungsbereich von 10 bis 350kW in SiC-MOSFET und Hybrid-SiC-Modulen
- Vollständige Palette von Industriestandard-Gehäusen
- SiC-Schottky-Dioden und MOSFETs von führenden Chiplieferanten
Siliziumkarbid-Leistungsmodule Produktspektrum
Unsere Produkte decken einen Leistungsbereich von 10 kW bis 350 kW bei 1200 V ab und sind in sieben verschiedenen Gehäusen erhältlich. MiniSKiiP und SEMITOP repräsentieren niedriegen und mittleren Leistungsbereich, beide ohne Bodenplatte. Der MiniSKiiP ist mit seiner bewährten SPRiNG-Technologie als Hybrid -SiC-Sixpack. Die 1. und 2. Generation der SEMITOP Module tragen in Kombination mit dem Standardindustriegehäuse SEMITOP E1/E2 zu einer maximalen Flexibilität bei.
SEMITRANS 3, SKiM 63/93 und SEMiX 3 Press-Fit decken den mittleren und hohen Leistungsbereich ab und sind als Hybrid-SiC- und SiC-MOSFET-Topologien mit bis zu 600 A Chip-Nennstrom erhältlich. Schnelle Gleichrichtermodule mit SiC-Schottky-Dioden sind auch in SEMIPACK und SEMITOP Gehäusen erhältlich.
SiC-MOSFET-Module
Filter
- Product Type
- Product Line
- VDS in V
- ID in A
- Switches
- Product Status
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Hybrid-SiC-Module
Filter
- Product Type
- Product Line
- VCE in V
- ICnom in A
- Switches
- Technology
- Product Status
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SEMITOP E1/E2 SiC-MOSFET-Modulplattform
Die SEMITOP E1/E2 SiC-MOSFET-Plattform bietet die neuesten SiC-MOSFETs (Generation 3) in drei verschiedenen Topologien: Sixpack, Halbbrücke und H-Brücke.
Die SEMITOP E2-Halbbrücken gibt es in zwei verschiedenen Pin-Ausführungen:
- Pin-out 1 ermöglicht eine Multiple-Sourcing-Strategie bis auf die Chip-Ebene.
- Pin-out 2 ist optimiert für einfache PCB-Designs und die Parallelschaltung mehrerer Leistungsmodule.
Das SEMITOP E1/E2-Siliziumkarbid zeichnet sich durch einen niedrigen spezifischen Widerstand (spezifischer Rds,on) und einen niedrigen Temperaturkoeffizienten aus. In Kombination mit einem der niedrigsten Wärmewiderstandswerte des Modulgehäuses führt dies zu einer beispiellosen Leistung. Der Rds,on-Temperaturkoeffizient liegt bei nur 0,1mΩ/K.
Dank sorgfältiger Simulationen während der Entwicklung sind alle Module für höchste Schaltgeschwindigkeiten ausgelegt, weisen gleichzeitig eine hohe Performance und einen stabilen Betrieb auf.Der hohe Wert des Verhältnisses von Eingangskapazität zu Miller-Kapazität (ciss/crss) schützt vor parasitärem Einschalten.
| SEMITOP Type | Topologie | Nennstrom | Rds,on (25°C) | Gehäuse | Pin-out |
|---|---|---|---|---|---|
| SK40MD120CR03ETE1 | Sixpack | 40A | 32mΩ | SEMITOP E1 | Multiple Sourcing |
| SK40MH120CR03TE1 | H-Brücke | 40A | 32mΩ | SEMITOP E1 | Multiple Sourcing |
SK80MH120CR03TE1 | H-Brücke | 80A | 16mΩ | SEMITOP E1 | Multiple Sourcing |
| SK40MB120CR03TE1 | Halbbrücke | 40A | 32mΩ | SEMITOP E1 | Multiple Sourcing |
| SK80MB120CR03TE1 | Halbbrücke | 80A | 16mΩ | SEMITOP E1 | Multiple Sourcing |
| SK150MB120CR03TE2 | Halbbrücke | 150A | 8mΩ | SEMITOP E2 | Multiple Sourcing |
| SK200MB120CR03TE2 | Halbbrücke | 200A | 6,4mΩ | SEMITOP E2 | Multiple Sourcing |
| SK250MB120CR03TE2 | Halbbrücke | 250A | 5,3mΩ | SEMITOP E2 | Multiple Sourcing |
| SK250MB120CR03TE2V1 | Halbbrücke | 250A | 5,3mΩ | SEMITOP E2 | Optimiert für Parallelschaltung |