Siliziumkarbid-Leistungsmodule

SiC Module – 10 kW bis 350 kW

Verschiedene Anschlusstechnologien, ein weiter Leistungsbereich und höchste Wirkungsgrade sind die Merkmale die sich heute bei Siliziumkarbid-Leistungsmodulen von SEMIKRON vereinen. Sowohl Hybrid- als auch Voll-SiC-Module stehen derzeit in sieben verschiedenen Gehäusen zur Verfügung. Optimiert auf niedrige Streuinduktivität, werden in jedem Modul die einzigartigen Eigenschaften genutzt.

Vorteile der Siliziumkarbid-Leistungsmodule

Hybrid-Siliziumkarbid-Leistungsmodule von SEMIKRON sind eine leicht zu implementierende Lösung um die Verlustleistung zu reduzieren und die Schaltfrequenz zu erhöhen. Sie vereinen die neueste IGBT-Technologie mit SiC-Schottky-Dioden im Freilaufzweig.

Für einem Wirkungsgrad von über 99 %, ein Minimum an Verlustleistung und maximale Ausgangsleistung und Leistungsdichte, werden reine Siliziumkarbid-Module mit SiC MOSFETs als Schaltern verwendet. Dank der Bodydiode des MOSFET ist eine externe antiparallele Diode nicht in allen Fällen erforderlich, kann aber vorteilhaft sein, um den Wirkungsgrad weiter zu erhöhen. SEMIKRON liefert Leistungsmodule mit Siliziumkarbid-Chips der führenden Anbieter, getestet entsprechend der hohen Ansprüche von SEMIKRON an Zuverlässigkeit und Qualität.

Hauptmerkmale der Siliziumkarbid-Leistungsmodule

• Höhere Schaltfrequenzen ermöglichen die Optimierung von Filterkomponenten und damit Kostensenkungen
• Reduzierte Verluste führen durch geringeren Kühlaufwand zu einem höheren Wirkungsgrad und zu geringeren Systemkosten und -größen
• Neueste SiC-Chips der führenden Anbieter
• Verschiedene Gehäuse- und Verbindungstechnologien mit Chipsets optimiert für Ihre Anwendung
• Standard-Industrie-Gehäuse

Anwendungen der Siliziumkarbid-Leistungsmodule

Siliziumkarbid-Leistungsmodule sind die ideale Technologie, um Systemvorteile sowohl technisch als auch kommerziell zu erzielen. Mit der Erhöhung der Schaltfrequenz können Filterkomponenten wie Drosseln in Hochsetzsteller-Anwendungen oder Filter auf der Lastseite bei Stromversorgungen, USV- oder Solar-Wechselrichtern drastisch reduziert werden. Zusätzlich wird die Verlustleistung reduziert, was zu Einsparungen bei der Kühlung, geringerer Lüfterleistung, kleineren Kühlkörpern oder der Änderung einer bislang forciert gekühlt Anwendung zu einem konvektionsgekühlten System führt. Schließlich kann auch der Wirkungsgrad des Gesamtsystems maximiert werden, um die Anforderungen moderner leistungselektronischer Systeme zu erfüllen.

Siliziumkarbid-Chips der führenden Anbieter in Verbindung mit SEMIKRON Aufbautechnologie

• Chip-Montage durch Lot- oder Sinterverbindungen für den Betrieb bei hohen Sperrschichttemperaturen und höchste Zuverlässigkeit
• Gelötete oder lotfreie (Feder / Press-Fit) Leiterplattenmontage
• Breites Leistungsspektrum in verschiedenen Industriestandard-Gehäusen
• Module mit und ohne Bodenplatte
• Kundenspezifische Lösungen
• Application Samples und Gatetreiberlösungen verfügbar für einfache Implementierung