ダイレクトプレスダイ(DPD)

新しい限界基準へ

コンパクトデザインでより高性能

DSS  (Double Sided Sintering) (の進化により、セミクロンはDPD (Direct Pressed Die)を2016年に発表しました。チップ・DBC及びフレックスレイヤーを接続するDSSに加えて、DPD技術はチップ上部に圧接するプレッシャーエレメントを使用しています。これは実際に必要なチップ直下への冷却に最適です。

DBC-ヒートシンクへの接続は、様々な冷却方式に対応することが出来ます。DPDのパワーモジュールは自冷、強制空冷及び水冷にも対応することが可能です。DPDによる最薄のサーマルペースト厚により、最高の熱伝導率を実現し、優れた電力密度を達成します。

DPD技術は標準のベースプレート及びベースプレートレスモジュール、高性能モジュールにも搭載できます。フレキシブルで柔軟性のある接続方式により、機械的ストレスは最小限に抑えられます。これによりサーマルサイクルやパワーサイクル耐量は向上します。低インダクタンスを特長としたDPD技術は、高速スイッチングである最新世代のチップを搭載することが可能です。.

DPD技術は従来のはんだ接続技術と比較し、高電力密度かつ長寿命・高信頼性をもたらし、e-mobilityのようなパワーエレクトロニクスの用途にも適します。

Direct Pressed Die - 主な特長と利点

  • はんだとワイヤーボンディングに代わる高信頼性のシンタ―接続
  • チップから冷却媒体への高熱伝導性
  • 高電力密度
  • 高パワーサイクル耐量
  • 長寿命
  • チップ接続エリアの増大による高サージ電流耐量
  • 超低インダクタンス
  • SiCなどの超高速デバイスにも最適