ハイブリッドSiCパワーモジュール

IGBTとSiCショットキーダイオードを搭載したパワーモジュール

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ハイブリッドSiCモジュール・高エネルギー効率、実装が容易  

セミクロンは、MiniSKiiP、SEMITOP、SEMITRANS、SEMiX およびSkiM63/93の各パッケージで、ハイブリッドSiCモジュールをご提供しています。最新のIGBT技術とトップサプライヤーによるSiCショットキーダイオードの組み合わせによりスイッチング周波数増大と電力損失低減を同時に可能にします。

システム設計をほとんど変更することなく、ハイブリッドSiCパワーモジュールは使用可能です。ハイブリッドSiCパワーモジュールは、50A~600A/1200V対応の6in1、2in1、チョッパー回路構成から選択できます。

SiCショットキーフリーホイールダイオードはスイッチング損失がほとんど無く、IGBTのターンオン損失を大幅に削減します。標準又は高速IGBTと組合せ、同一モジュールパッケージで高いスイッチング周波数を得られます。これにより、ソーラーインバータ、UPSシステム、高周波数電源などの出力側におけるフィルタの必要数を効率的に削減できます。汎用インバータでは標準のシリコンパワーモジュールより高い出力電力が可能です。