ハイブリッドシリコンカーバイドパワーモジュール

IGBTとSiCショットキーダイオードを搭載したパワーモジュール

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高周波スイッチング、高出力・高効率を実現

セミクロンは、MiniSKiiP, SEMITRANS, SEMiX 3 Press-Fit、SKiM63/93パッケージのハイブリッドSiCパワーモジュールを提供します。最新のIGBTテクノロジーと トップサプライヤーからのSICショットキーダイオードの組合せにより、スイッチング周波数を上昇させ、電力損失を低減します。

ハイブリッドSiCパワーモジュールの定格は1200V/50-600Aで、回路構成は6パック及びハーフブリッジです。

SiCショットキーフリーホイールダイオードのスイッチング周波数は実質的に0で、IGBTのターオン損失を大幅に低減します。これによって、同一モジュールパッケージで、より高周波スイッチングが 可能となり、ソーラーインバータ、UPSや高周波電源の出力側のフィルター回路を効果的に低減します。さらに、Siパワーモジュールに比べ、高出力の実現が可能です。