ハイブリッドSiCパワーモジュール

IGBTとSiCショットキーダイオードを搭載したパワーモジュール

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ハイブリッドSiCモジュール・高エネルギー効率、実装が容易  

セミクロンは、MiniSKiiP、SEMITOP、SEMITRANS、SEMiX およびSkiM63/93の各パッケージで、ハイブリッドSiCモジュールをご提供しています。最新のIGBT技術と主要サプライヤによるSiCショットキーダイオードを組み合わせることで、スイッチング周波数の増大と電力損失の低減が同時に可能になります。

システム設計をほとんど変更することなく、ハイブリッドSiCパワーモジュールは使用可能です。ハイブリッドSiCパワーモジュールは、50A~600A/1200V対応の6パック、2in1、チョッパー回路構成を選択できます。

SiCショットキーフリーホイールダイオードはスイッチング損失がほとんど無く、IGBTのターンオン損失を大幅に削減します。標準又は高速IGBTと組合せ、同一モジュールパッケージで高いスイッチング周波数を得られます。これにより、ソーラーインバータ、UPSシステム、高周波数電源などの出力側におけるフィルタの必要数を効率的に削減できます。また、汎用インバータで標準のシリコンパワーモジュールより高い出力電力も実現できます。