ハイブリッドシリコンカーバイドパワーモジュール

IGBTとSiCショットキーダイオードを搭載したパワーモジュール

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ハイブリッドSiCモジュール・高エネルギー効率

セミクロンは、MiniSKiiP、SEMITOP、SEMITRANS、SEMiX 3プレスフィット、SKiM63/93の各パッケージで、ハイブリッドSiCモジュールをご提供しています。最新のIGBT技術とSiCショットキーダイオードを組み合わせることで、スイッチング周波数の増大と電力損失の低減が同時に可能になります。

ハイブリッドSiCパワーモジュールは、50A~600A/1200V対応の6パック、ハーフブリッジ、チョッパー回路構成を選択できます。

SiCショットキーフリーホイールダイオードはスイッチング損失がほとんど無く、IGBTのターンオン損失を大幅に削減します。これらの効果により同一モジュールパッケージで高いスイッチング周波数を得られ、ソーラーインバータ、UPSシステム、高周波数電源などの出力側におけるフィルタの必要数を効率的に削減できます。また、標準のシリコンパワーモジュールより高い出力電力も実現できます。