ハイブリッドシリコンカーバイドパワーモジュール

IGBTとSiCショットキーダイオードを搭載したパワーモジュール

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  • SEMITRANS 3 (106x62x31)
    1200
    200
    Half Bridge
    SiC Diode + IGBT 4 (Trench)
    Sample status
  • SEMITRANS 3 (106x62x31)
    1200
    200
    Half Bridge
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status
  • SKIM 93 (160x150x35)
    1200
    450
    Six Pack
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status
  • SEMiX 3p (150x62x17)
    1200
    600
    Half Bridge
    SiC Diode + IGBT 4 (Trench)
    Sample status
  • MiniSKiiP II 2 (59x52x16)
    1200
    50
    Six Pack
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status
  • MiniSKiiP II 3 (82x59x16)
    1200
    100
    Six Pack
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status
  • MiniSKiiP II 3 (82x59x16)
    1200
    150
    Six Pack
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status

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高周波スイッチング、高出力・高効率を実現

セミクロンは、MiniSKiiP, SEMITRANS, SEMiX 3 Press-Fit、SKiM63/93パッケージのハイブリッドSiCパワーモジュールを提供します。最新のIGBTテクノロジーと トップサプライヤーからのSICショットキーダイオードの組合せにより、スイッチング周波数を上昇させ、電力損失を低減します。

ハイブリッドSiCパワーモジュールの定格は1200V/50-600Aで、回路構成は6パック及びハーフブリッジです。

SiCショットキーフリーホイールダイオードのスイッチング周波数は実質的に0で、IGBTのターオン損失を大幅に低減します。これによって、同一モジュールパッケージで、より高周波スイッチングが 可能となり、ソーラーインバータ、UPSや高周波電源の出力側のフィルター回路を効果的に低減します。さらに、Siパワーモジュールに比べ、高出力の実現が可能です。