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MiniSKiiP® – 2kW~ 110MW

MiniSKiiP は、新世代のIGBT 7 と実績あるSEMIKRON パッケージ技術を採用し、電力密度を新たなレベルに引き上げます。

MiniSKiiP® 利点

2017 年にMiniSKiiP は20 周年を迎えました。2018 年、セミクロンは再びイノベーションを起こします。最新世代のIGBT チップ導入により、MiniSKiiP は再び、低出力/ 中出力モータドライブの電力密度および性能の基準を塗り替えます。MiniSKiiP SPRiNG の実績ある技術と容易な組立てプロセスとの組み合わせにより、パフォーマンスの新たなベンチマークを作り上げます。

工数と高価なはんだ装置を必要とする従来のはんだ付けモジュールと比べ、1 から2 個のねじ接続で組付けが終了するMiniSKiiP に、特別な工具は不要です。プリント基板(PCB)、パワーモジュール、ヒートシンクを1 回の実装工程ですべて組付け可能です。

MiniSKiiP® IGBT 7搭載

MiniSKiiP®製造プロセス

MiniSKiiP®主な特長

  • 定格電流4A~400A、単一プラットフォームで最大110kWまでのインバータ出力に対応
  • CIB、6パック、ツイン6パック、Hブリッジ、ハーフブリッジ、3レベル、
  • ブレーキチョッパー付きブリッジ整流器などの幅広い回路構成に対応
  • はんだフリーSPRiNG技術により、1本または2本のねじのみで実装、組付け時間を大幅に短縮

MiniSKiiP® 用途

40 年以上にわたる経験と4000 万個以上のモジュールの採用実績により、本モジュールプラットフォームはモータドライブ、サーボドライブ、システムドライブ、ソーラーインバーター、UPS システム、溶接機など、標準的なあらゆる用途での実績が証明されています。

MiniSKiiP® プロダクトレンジ

MiniSKiiP モジュールは600V/650V、1200V、1700V 用に設計されており、定格チップ電流は4A ~ 400A です。CIB、6 パック、ツイン6 パック、H ブリッジ、ハーフブリッジ、および3 レベルに加え、650V アプリケーション用チップセットおよびシリコンカーバイド、1200V 用IGBT 7 などの最新チップ技術を使用し、お客様専用にカスタマイズされたモジュールもご利用いただけます。また、迅速な評価に欠かせない評価用テストボードも、モジュールタイプごとにご注文いただけます。

MiniSKiiP 製品ラインアップ

MiniSKiiP® IGBTモジュール

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MiniSKiiP® フルシリコンカーバイドパワーモジュール

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MiniSKiiP® ブリッジ整流器モジュール

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妥協なしの拡張性

優れた電力密度

の寿命および出力電力を向

最新技術の組み合わせにより、MiniSkiiP の寿命および出力電力を向上:

IGBT 7: 電力密度最大化の鍵となる順電圧の低い最新IGBT 世代

Si3N4: 窒化ケイ素基板により熱抵抗(Rth(j-s))を低減するとともに、モジュールの出力電力、寿命、および基幹ドライブの機械的頑強性を向上

HPTP: 優れた熱性能を発揮する最新の高性能サーマルペーストにより、熱抵抗をより低減し、出力電力の向上と接合温度の低下、および寿命の延長を可能に

AlCu 配線結合: MiniSKiiP のパワーサイクル耐量を向上

Ultradur ハウジング: より高いケース温度、および動作温度に対応

妥協なしの拡張性

MiniSKiiPをベースにした高度なモータドライブ設計
  • 1 ~ 110kW まで対応のPCB ベースのワンインバーター設計コンセプト:はんだフリースプリング技術により組付け時間を大幅短縮。モジュール、PCB、クーラーを1 回の実装工程ですべて組付け可能
  • ピン穴なし、簡単で自在なPCB 工程
  • 最大出力用に高性能サーマルペースト塗布済品もラインアップ

例:

  • 銅バスバーに代わり高電力用PCB を採用したPCBs110kW インバータ設計
  • 優れた電力密度機能をベースとして採用:IGBT 7、窒化ケイ素、高性能サーマルペースト
  • ベースプレートモジュールソリューションに比べ、部品削減によりシステムコストを最大18% 低減
  • 同一モジュールサイズと接続技術は、すべてのコンポーネントに対応