Hybrid-Siliziumkarbid-Module
Leistungsmodule mit IGBTs und Siliziumkarbid-Schottky-Dioden
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Hybride Siliziumkarbid-Leistungsmodule: höhere Effizienz, einfache Anwendung
SEMIKRON bietet Hybrid-Siliziumkarbid-Leistungsmodule in MiniSKiiP, SEMITOP, SEMITRANS, SEMiX und SKiM63/93 an. Die neueste IGBT-Technologie wird mit SiC-Schottky-Dioden von führenden Anbietern kombiniert, um die Schaltfrequenz zu erhöhen und gleichzeitig die Verlustleistung zu reduzieren. Dank nur minimaler notwendiger Änderungen am Systemdesign sind Hybrid-SiC-Leistungsmodule ein einfacher Weg, um von den Eigenschaften von Siliziumkarbid zu profitieren.
Die Hybrid-SiC-Leistungsmodule sind von 50 A bis 600 A bei 1200 V in Sixpack-, Halbbrücken- und Chopper-Topologien erhältlich.
SiC-Schottky-Freilaufdioden haben praktisch keine Schaltverluste und reduzieren die Einschaltverluste des IGBTs drastisch. In Kombination mit Standard- oder Highspeed-IGBTs können höhere Schaltfrequenzen im gleichen Modulgehäuse erreicht werden. Dadurch wird der Filterbedarf auf der Ausgangsseite z. B. von Solarwechselrichtern, USV-Anlagen oder Stromversorgungen effizient gesenkt. Es können auch höhere Ausgangsleistungen als mit Standard-Silizium-Leistungsmodulen erreicht werden, was für Motorantriebe interessant ist.