Hybrid-Siliziumkarbid-Module
Leistungsmodule mit IGBT und Siliziumkarbid-Schottkydioden
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Hybrid-Siliziumkarbid-Module für höchste Energieeffizienz
In Hybrid-SiC-Modulen verbindet SEMIKRON die IGBT-Technologie mit den Vorteilen von SiC-Schottkydioden der führenden Hersteller in den Gehäusen MiniSKiiP, SEMITOP, SEMITRANS, SEMiX 3 Press-Fit und SKiM63/93, um so die Schaltfrequenz in der Applikation zu erhöhen und gleichzeitig die Schaltverluste zu reduzieren.
Hybrid-SiC-Module sind verfügbar von 50 A bis 600 A bei 1200 V Sperrspannung in den Topologien Sixpack, Halbbrücke und Chopper.
SiC-Schottkydioden zeichnen sich dadurch aus, dass sie selbst keine Schaltverluste erzeugen und die Einschaltverluste im IGBT drastisch reduzieren. Dadurch können im gleichen Modultyp sehr einfach wesentlich höhere Schaltfrequenzen erreicht werden, wodurch ein kleinerer Ausgangsfilter erforderlich wird. Das trifft insbesondere für Anwendungen wie Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) oder Hochfrequenzgeräte zu. Zusätzlich werden im Vergleich zu Standard-Silizium-Leistungsmodulen höhere Ausgangsleistungen erreicht.