Hybrid-Siliziumkarbid-Module

Leistungsmodule mit IGBT und Siliziumkarbid-Schottkydioden

Informationen & Downloads

Kundenservice

Kontakt aufnehmen

Produktservice

Muster anfragen

  • Products
  • View k j
Reset all filters Selected
Filter
  • Product Type
  • Product Line
  • VCE in V
  • ICnom in A
  • Switches
  • Technology
  • Product Status
  • SEMITRANS 3 (106x62x31)
    1200
    200
    Half Bridge
    SiC Diode + IGBT 4 (Trench)
    Sample status
  • SEMITRANS 3 (106x62x31)
    1200
    200
    Half Bridge
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status
  • SKIM 93 (160x150x35)
    1200
    450
    Six Pack
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status
  • SEMiX 3p (150x62x17)
    1200
    600
    Half Bridge
    SiC Diode + IGBT 4 (Trench)
    Sample status
  • MiniSKiiP II 2 (59x52x16)
    1200
    50
    Six Pack
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status
  • MiniSKiiP II 3 (82x59x16)
    1200
    100
    Six Pack
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status
  • MiniSKiiP II 3 (82x59x16)
    1200
    150
    Six Pack
    SiC Diode + IGBT 4 fast (Trench)
    Sample status

Sorry, we were unable to find products that match your current set of filters and/or search.

Hybride Siliziumkarbid-Module – Hohe Schaltfrequenzen, optimierte Ausgangsleistung und erhöhter Wirkungsgrad

In Hybrid-SiC-Modulen verbindet SEMIKRON die IGBT-Technologie mit den Vorteilen von SiC-Schottkydioden der führenden Hersteller in den Gehäusen MiniSKiiP, SEMITRANS, SEMiX 3 Press-Fit und SKiM63/93, um so die Schaltfrequenz in der Applikation zu erhöhen und gleichzeitig die Schaltverluste zu reduzieren.

Hybrid-SiC-Module sind verfügbar von 50 bis 600A bei 1200V Sperrspannung in den Topologien 6-Pack und Halbbrücke.

SiC-Schottkydioden zeichnen sich dadurch aus, dass sie selbst keine Schaltverluste erzeugen, keinen Schweifstrom und nur eine extrem geringe Rückstromspitze besitzen und damit auch die Einschaltverluste im IGBT drastisch reduzieren können. Dadurch werden sehr einfach wesentlich höhere Schaltfrequenzen erreicht, wodurch eine Reduzierung der Ausgangsfilter möglich ist. Das trifft insbesondere für Anwendungen wie Solarwechselrichter oder unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) zu. Zusätzlich kann auch die maximale Ausgangsleistung des Moduls um bis zu 50% erhöht werden und damit die Leistungsdichte gesteigert werden.