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SEMITOP® E1/E2 – 最大70kW

SEMITOP E1/E2はベースプレートなし、側面2本の組付けネジおよびプレスフィットピンを備 えた、高さ12mmのモジュールプラットフォームです。 SEMITOP E1およびE2は、サプライチ ェーンの安全性を持ち、チップレベルに至るまで統合された産業用標準パッケージの新しい選 択肢をご提供します。SEMITOPプラットフォームは特性が向上し、低インダクタンスケースに より、最新の高性能SiチップおよびSiCチップの搭載が可能です。

SEMITOP® E1/E2 メリット

SEMITOP E1 およびSEMITOP E2 は、サプライチェーンの安全性に対 するお客様のご要望から生まれました。そしてSEMITOP E は、それ 以上の完全なマルチソースソリューションです。パッケージの観点で は、SEMITOP E は統一された産業標準パッケージと完全に互換性があ り、チップセットの観点からは、最高の自在性を実現するために、同 一特性のチップを異なるサプライヤから選択することができます。そ のためSEMITOP E1 およびE2 は、セミクロン製品ラインアップ中で 重要な構成要素となっています。

このプラットフォームは、低インダクタンス設計、高さ12mm、ベー スプレートなし、側面2 本の組付けネジ、はんだフリー組立て用のプ レスフィット端子を備えたピングリッド方式が特長です。ピングリッ ド方式は主端子と補助端子を自在に配置でき、自在性とコンパクトな 設計という2 つの主な利点があります。

この自在性の高いピン配置は、容易なPCB 工程というお客様のニー ズを満たし、転流インダクタンスを10nH 未満に低減することが可 能です。これにより、高性能、技術革新性、および差別化が重要な市 場要因となる厳しい環境において、このプラットフォームはパワーモ ジュールのニーズを満たし、最新のSi およびSiC 技術、特に高速スイッ チングデバイスに適しています。チップ配置を最適化することで最良 の熱拡散を実現し、熱的特性を高めています。 SEMITOP E1 およびE2 は、最適なフットプリント、自在な構造、複 数のチップ供給元、最適化されたコストにより高性能ソリューション をご提供します。

SEMITOP® E1/E2 主な特長

  • 低浮遊インダクタンスケース
  • チップレベルのマルチソース性
  • 最適なフットプリント
  • 構造自在
  • 2 本のネジ方式
  • プレスフィット端子
  • モジュール高さ12mm
  • ベースプレートなし

SEMITOP® E1/E2 アプリケーション

SEMITOP E1 およびE2 は最大70kW の低出力/ 中出力範囲向けに設 計されており、SEMITOP 1、2、3、4 の出力レベルをカバー、補完、 拡張します。SEMITOP E1 およびE2 は、小型で低インダクタンスな 設計と最新のチップ技術により、UPS、ソーラー(ストリングインバー タソリューション向けの最大1500VDC バスを含む)、モータードラ イブ、電源、新たな電気自動車バッテリー充電設備など、さまざまな 市場に適します。

SEMITOP® E1/E2 製品ラインアップ

SEMITOP E1 およびE2 は、標準回路構成から様々な市場要求を満た すカスタムソリューションまで、自在な構成が可能です。

  • H5/L5/S5 TrenchStop 5 IGBT技術を採用した最大150A/650Vの3 レベル中性点クランプ回路構成(NPC)
  • スプリット3レベル中性点クランプ回路構成の150A/1200V IGBT4、1500V DC バスアプリケーション向け
  • 3レベルTタイプ中性点クランプ回路構成(TNPC)、200A/1200V 高速IGBT 4 技術によるハーフブリッジレグ
  • 最大75A/650Vおよび75A/1200Vの三相インバータ
  • 最大50A/600Vおよび35A/1200VのCIB構成
  • カスタム回路構成

SEMITOP® IGBT モジュール

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SEMITOP®フルシリコンカーバイドパワーモジュール

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SEMITOP® MOSFET モジュール

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SEMITOP®ブリッジ整流器モジュール

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産業標準と高性能の融合

幅広い製品ラインアップ

定格IGBT 電流(A)
  • 2レベルおよび3レベルアプリケーション向けの幅広い製品ラインアップ
  • 産業用標準パッケージによる完全な互換性
  • 非常に複雑な回路構成にも適合する自在なレイアウト設計
  • チップソース選択によるアプリケーション設計の自在性

最先端の製品

最先端の製品
  • 最新のSiおよびSiC技術
  • 低インダクタンス設計
  • 優れた設計の自在性
  • オプションでスナバコンデンサを付属

標準を超える性能

標準サーマルペーストの熱抵抗 Rth,j-s [K/W]
  • 究極の熱フットプリントを達成する最適なモジュール設計
  • 熱的性能を向上させる効果的な熱拡散
  • 厳しい信頼性要件に応える長寿命
  • 極めて低インダクタンスなレイアウトにより、高速スイッチング用途に適合