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Diskrete Dioden & Thyristoren

Diskrete Dioden und Thyristoren für Klein- bis Hochleistungsanwendungen. In den Spannungsklassen von 200 V bis 8000 V und Stromstärken von 1 A bis 7500 A ist ein breites Spektrum an Gehäusevarianten erhältlich.

Vorteile diskreter Bauelemente

Diskrete Bauelemente werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt. Besondere Vorteile lassen sich bei hohen Strömen, ungewöhnlichen Topologien, natürlicher Kühlung oder unter harten Umgebungsbedingungen erzielen.

Das SEMIKRON Portfolio umfasst Dioden mit axialen Anschlüssen bis zu 6 A, Dioden und Thyristoren mit Schraubanschluss (Bolzen) und Kapselgehäuse für bis zu 7500 A und 8000 V bei Dioden und bis 1200 A und 1800 V bei Thyristoren.

  • Einfache Montage
  • Hermetisch verschlossen
  • Robuste Bauweise

Avalanche-Dioden

  • Kein Überspannungsschutz erforderlich
  • Unempfindlich gegen kurzfristige Sperrspannungsüberschreitungen
  • Hohe Sperrspannungen möglich, ohne statische oder dynamische Spannungsaufteilung

Hauptmerkmale diskreter Bauelemente

  • Für forcierte Luft- und Wasserkühlung optimiert
  • Kompaktes Gehäuse mit hoher Strombelastbarkeit
  • Schraub- und Scheibentypen: Durchlass-selektierte Bauelemente für eine einfache Parallelschaltung
  • Axial bedrahtete Dioden für Leiterplattenmontage
  • Als Standard- und schnelle Typen verfügbar

 

 

Anwendung für diskrete Bauelemente

Hauptanwendungen sind Schweißanlagen, Batterieladegeräte, Galvanik, Softstarter, DC-Motorsteuergeräte, AC-Steuerungen (z. B. für die Temperaturregelung), Generatoren und andere. Durch ihre hermetisch geschlossenen Gehäuse eignen sich diskrete Bauelemente ideal für natürliche Konvektionskühlung sowie forcierte Kühlung und ermöglichen so ein breites Anwendungsfeld. Mit über 50 Jahren Erfahrung in diesem Bereich und Millionen produzierter Einheiten pro Jahr bietet das SEMIKRON-Portfolio wettbewerbsfähige, flexible und sehr zuverlässige Produkte und Lösungen.

Produktspektrum diskreter Bauelemente

Diskrete Dioden und Thyristoren für Klein- bis Hochleistungsanwendungen. In den Spannungsklassen von 200 V bis 8000 V und Stromstärken von 1 A bis 7500 A ist ein breites Spektrum an Gehäusevarianten erhältlich.

Axial bedrahtete Dioden1 A bis 6 A100 V bis 2000 V
HV-Einschraubdioden, axialbis zu 2,5 Abis zu 8000 V
Einschraubdioden5 A bis 600 A200 V bis 5000 V
Kapsel- (Scheiben)-Diodenbis zu 7500 A100 V bis 2200 V
Einschraubthyristoren10 A bis 300 A400 V bis 1800 V
Kapsel- (Scheiben)-Thyristoren340 A bis 1200 A400 V bis 1800 V

Diskrete Dioden

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