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Diskrete Dioden & Thyristoren
Diskrete Dioden und Thyristoren für Klein- bis Hochleistungsanwendungen. In den Spannungsklassen von 200 V bis 8000 V und Stromstärken von 1 A bis 7500 A ist ein breites Spektrum an Gehäusevarianten erhältlich.
Vorteile diskreter Bauelemente
Diskrete Bauelemente werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt. Besondere Vorteile lassen sich bei hohen Strömen, ungewöhnlichen Topologien, natürlicher Kühlung oder unter harten Umgebungsbedingungen erzielen.
Das SEMIKRON Portfolio umfasst Dioden mit axialen Anschlüssen bis zu 6 A, Dioden und Thyristoren mit Schraubanschluss (Bolzen) und Kapselgehäuse für bis zu 7500 A und 8000 V bei Dioden und bis 1200 A und 1800 V bei Thyristoren.
- Einfache Montage
- Hermetisch verschlossen
- Robuste Bauweise
Avalanche-Dioden
- Kein Überspannungsschutz erforderlich
- Unempfindlich gegen kurzfristige Sperrspannungsüberschreitungen
- Hohe Sperrspannungen möglich, ohne statische oder dynamische Spannungsaufteilung
Hauptmerkmale diskreter Bauelemente
- Für forcierte Luft- und Wasserkühlung optimiert
- Kompaktes Gehäuse mit hoher Strombelastbarkeit
- Schraub- und Scheibentypen: Durchlass-selektierte Bauelemente für eine einfache Parallelschaltung
- Axial bedrahtete Dioden für Leiterplattenmontage
- Als Standard- und schnelle Typen verfügbar
Anwendung für diskrete Bauelemente
Hauptanwendungen sind Schweißanlagen, Batterieladegeräte, Galvanik, Softstarter, DC-Motorsteuergeräte, AC-Steuerungen (z. B. für die Temperaturregelung), Generatoren und andere. Durch ihre hermetisch geschlossenen Gehäuse eignen sich diskrete Bauelemente ideal für natürliche Konvektionskühlung sowie forcierte Kühlung und ermöglichen so ein breites Anwendungsfeld. Mit über 50 Jahren Erfahrung in diesem Bereich und Millionen produzierter Einheiten pro Jahr bietet das SEMIKRON-Portfolio wettbewerbsfähige, flexible und sehr zuverlässige Produkte und Lösungen.
Produktspektrum diskreter Bauelemente
Diskrete Dioden und Thyristoren für Klein- bis Hochleistungsanwendungen. In den Spannungsklassen von 200 V bis 8000 V und Stromstärken von 1 A bis 7500 A ist ein breites Spektrum an Gehäusevarianten erhältlich.
| Axial bedrahtete Dioden | 1 A bis 6 A | 100 V bis 2000 V |
| HV-Einschraubdioden, axial | bis zu 2,5 A | bis zu 8000 V |
| Einschraubdioden | 5 A bis 600 A | 200 V bis 5000 V |
| Kapsel- (Scheiben)-Dioden | bis zu 7500 A | 100 V bis 2200 V |
| Einschraubthyristoren | 10 A bis 300 A | 400 V bis 1800 V |
| Kapsel- (Scheiben)-Thyristoren | 340 A bis 1200 A | 400 V bis 1800 V |
Diskrete Dioden
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- Product Type
- Housing
- VRRM / VDRM in V
- IF / IT in A
- IFSM / ITSM in A
- Technology
- Product Generation
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